1 |
1
기판 상에 그래파이트화 촉매층을 형성하는 단계;상기 그래파이트화 촉매층 상에 기상 탄소 공급원을 공급하는 단계;열원 발생 장치로부터 빛을 집속시켜서 열원을 형성하는 단계;상기 그래파이트화 촉매층의 일부를 상기 열원에 노출시켜서 그래핀 시드층을 형성시키는 단계; 및상기 그래핀 시드층으로부터 일 방향으로 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
2 |
2
제1 항에 있어서,상기 기상 탄소 공급원은 상기 열원에 의해 분해되어, 상기 그래파이트화 촉매층 상에 그래핀을 형성하며 화학 기상 증착되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
3 |
3
제1 항에 있어서,상기 그래핀층은, 상기 그래핀 시드층에 연속하여 상기 일 방향으로 육각형의 구조들이 성장됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
4 |
4
제1 항에 있어서,상기 그래핀층은 전체가 하나의 결정립으로 형성되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
5 |
5
제1 항에 있어서,상기 열원은, 라인 형태의 빔으로 발생되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
6 |
6
제1 항에 있어서,상기 열원 발생 장치는, 램프 및 상기 램프를 둘러싸는 곡선형의 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
7 |
7
제6 항에 있어서,상기 열원 발생 장치는, 상기 반사부에서 반사된 빔을 집속하는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
8 |
8
제6 항에 있어서,상기 반사부는 타원의 단면을 가지며, 상기 램프가 상기 타원의 상부 초점에 위치하며, 상기 타원의 하부 초점에 상기 그래파이트화 촉매층이 위치하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
9 |
9
제1 항에 있어서,상기 그래파이트화 촉매층을 형성하는 단계 이후에,상기 그래파이트화 촉매층 상에 형성된 산화물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|
10 |
10
제1 항에 있어서,상기 그래파이트화 촉매층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pt) 및 로듐(Rh)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
|