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성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014058583
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀의 제조 방법은, 기판 상에 그래파이트화 촉매층을 형성하는 단계; 그래파이트화 촉매층 상에 기상 탄소 공급원을 공급하는 단계; 열원 발생 장치로부터 빛을 집속시켜서 열원을 형성하는 단계; 그래파이트화 촉매층의 일부를 열원에 노출시켜서 그래핀 시드층을 형성시키는 단계; 및 그래핀 시드층으로부터 일 방향으로 그래핀층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01.01) B01J 23/755 (2006.01.01) B01J 23/46 (2006.01.01) G02B 6/32 (2006.01.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020120010384 (2012.02.01)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1308120-0000 (2013.09.06)
공개번호/일자 10-2013-0089041 (2013.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20130912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울 강남구
2 조성용 대한민국 경기 성남시 중원구
3 김기주 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0085127-11
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0627221-74
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037056-07
6 등록결정서
Decision to grant
2013.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0506690-95
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 그래파이트화 촉매층을 형성하는 단계;상기 그래파이트화 촉매층 상에 기상 탄소 공급원을 공급하는 단계;열원 발생 장치로부터 빛을 집속시켜서 열원을 형성하는 단계;상기 그래파이트화 촉매층의 일부를 상기 열원에 노출시켜서 그래핀 시드층을 형성시키는 단계; 및상기 그래핀 시드층으로부터 일 방향으로 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 기상 탄소 공급원은 상기 열원에 의해 분해되어, 상기 그래파이트화 촉매층 상에 그래핀을 형성하며 화학 기상 증착되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 그래핀층은, 상기 그래핀 시드층에 연속하여 상기 일 방향으로 육각형의 구조들이 성장됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 그래핀층은 전체가 하나의 결정립으로 형성되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 열원은, 라인 형태의 빔으로 발생되는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 열원 발생 장치는, 램프 및 상기 램프를 둘러싸는 곡선형의 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 열원 발생 장치는, 상기 반사부에서 반사된 빔을 집속하는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 반사부는 타원의 단면을 가지며, 상기 램프가 상기 타원의 상부 초점에 위치하며, 상기 타원의 하부 초점에 상기 그래파이트화 촉매층이 위치하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 그래파이트화 촉매층을 형성하는 단계 이후에,상기 그래파이트화 촉매층 상에 형성된 산화물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 그래파이트화 촉매층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pt) 및 로듐(Rh)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 세계수준의 연구중심대학 육성사업 지속가능성을 위한 하이브리드 재료