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산화물 반도체 인버터 및 이를 이용한 디스플레이 구동장치

  • 기술번호 : KST2014059377
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 반도체 인버터에 관한 것으로, 채널 길이 L1을 가지는 부하 박막 트랜지스터(load TFT)의 소스 전극에 채널 길이 L2 의 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 직렬로 연결되고, 상기 부하 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극이 전기적으로 연결된 디플리션 부하(depletion load) 구조의 산화물 반도체 인버터를 제공한다. 이에 따르면, 공정 및 구조의 추가 없이 디플리션 부하(depletion load) 구조를 형성하여 CMOS와 같은 고이득(high gain)을 구현할 수 있는 산화물 반도체 인버터를 제공할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G09G 3/20 (2006.01)
CPC H01L 27/1222(2013.01) H01L 27/1222(2013.01) H01L 27/1222(2013.01) H01L 27/1222(2013.01)
출원번호/일자 1020110105115 (2011.10.14)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1275713-0000 (2013.06.11)
공개번호/일자 10-2013-0040387 (2013.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울특별시 동대문구
2 강동한 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0803649-40
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0991147-41
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0085311-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0727550-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0005922-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0005923-29
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0369640-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
디플리션 모드 (depletion mode)를 이용한 산화물 반도체 인버터에 있어서,서로 직렬 연결된 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 및 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)를 포함하고,상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 의 채널길이 L1 과 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT) 의 채널 길이 L2 는, L1 003c# L2 의 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 의 채널길이 L1은,0
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT) 의 채널길이 L2는 3 μm이상인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)는, 비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드 (HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드 (ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드 (AZTO) 중 어느 하나를 포함하여 이루어진 산화물 반도체를 구비한 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는,비정질 인듐 갈륨 징크옥사이드(Amorphous-InGaZnO4), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드 (HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드 (ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드 (AZTO)중 어느 하나를 포함하여 이루어진 산화물 반도체를 구비한 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT) 및 상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는 동일 물질로 형성된 디플리션 모드를 이용한 산화물 반도체 인버터
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)는 디플리션 모드로 구동하고,상기 구동 박막 트랜지스터 (driving TFT)는 축적 모드(accumulation mode) 로 구동 하는 것을 특징으로 하는 디플리션 모드를 이용한 산화물 반도체 인버터
8 8
청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 부하 박막 트랜지스터 (load TFT)의 구조는, 코플라나 구조 또는 백 채널 에치 방식을 이용한 역스테거드 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 인버터
9 9
디스플레이 장치에 있어서,청구항 8항에 기재된 산화물 반도체 인버터를 이용한 산화물 반도체 구동 회로; 및상기 산화물 반도체 구동 회로를 포함하는 디스플레이 구동 장치
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1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발