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전자주입 층으로 플러렌 층간 화합물를 구비하는 유기 전계 발광소자
- 기술번호 : KST2014059547
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 산화금속 및/또는 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌을 함유하는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자의 제조방법, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 발광 디바이스, 및 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 디바이스에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/0046(2013.01) H01L 51/0046(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120139406 (2012.12.04) |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1347656-0000 (2013.12.27) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20140107) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.12.04) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 염근영 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 2 | 임종태 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 3 | 오종식 | 대한민국 | 경기 수원시 장안구 |
| 4 | 박진우 | 대한민국 | 경기 고양시 일산동구 |
| 5 | 김성희 | 대한민국 | 울산 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1003369-87 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.10.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.11.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0090977-19 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.12.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0890708-80 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 애노드(anode), 상기 애노드 상의 발광층, 및 상기 발광층 상의 캐소드(cathode)를 포함하고,상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 전자주입층을 포함하며,상기 전자주입층은 산화금속 또는 탄산금속, 또는 산화금속 및 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌(fullerene)을 함유하는 것인,유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED) |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 산화금속 및 상기 탄산금속 각각은, 알칼리 금속, 알칼리토금속, 란타늄 계열 금속, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인, 유기 발광 소자 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 산화금속은, Li2O, Na2O, K2O, Rb2O, Cs2O, Fr2O, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, RaO, La2O3, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유기 발광 소자 |
| 4 |
4 제 2 항에 있어서,상기 탄산금속은, Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, Rb2CO3, Cs2CO3, Fr2CO3, BeCO3, MgCO3, CaCO3, SrCO3, BaCO3, RaCO3, La2(CO3)3, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유기 발광 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 풀러렌은, C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, C84 유도체, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유기 발광 소자 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 도핑된 풀러렌은 풀러렌 100 중량부에 대해서 상기 산화금속 또는 탄산금속, 또는 산화금속 및 탄산금속을 99 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 전자주입층과 상기 발광층 사이에 전자수송층을 추가로 포함하는, 유기 발광 소자 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 전자수송층은 상기 산화금속 또는 상기 탄산금속, 또는 상기 산화금속 및 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌(fullerene)을 함유하는 것인, 유기 발광 소자 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 애노드와 상기 발광층 사이에 정공주입층 또는 정공수송층, 또는 정공주입층 및 정공수송층을 추가로 포함하는, 유기 발광 소자 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 유기 발광 소자는 유연성 기재, 투명 기재, 또는 유연성 투명 기재 상에 형성된 것인, 유기 발광 소자 |
| 11 |
11 기재 상에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 산화금속 또는 탄산금속, 또는 산화금속 및 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌(fullerene)을 함유하는 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것인,유기 발광 소자의 제조방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 산화금속 및 상기 탄산금속 각각은, 알칼리 금속, 알칼리토금속, 란타늄 계열 금속, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서,상기 풀러렌은, C60, C70, C76, C78, C84, C60 유도체, C70 유도체, C76 유도체, C78 유도체, C84 유도체, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 14 |
14 제 11 항에 있어서, 상기 도핑된 풀러렌은 풀러렌 100 중량부에 대해서 상기 산화금속 또는 탄산금속, 또는 산화금속 및 탄산금속을 99 |
| 15 |
15 제 11 항에 있어서,상기 애노드 상에 발광층을 형성하는 단계 이후에, 상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 전자수송층은 상기 산화금속 또는 상기 탄산금속, 또는 상기 산화금속 및 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌(fullerene)을 함유하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 17 |
17 제 11 항에 있어서,상기 기재 상에 애노드를 형성하는 단계 이후에,상기 애노드 상에 정공주입층 또는 정공수송층, 또는 정공주입층 및 정공수송층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 18 |
18 제 11 항에 있어서,상기 기재는 유연성 기재, 투명 기재, 또는 유연성 투명 기재인 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 19 |
19 기재 상에 캐소드를 형성하는 단계;상기 캐소드 상에 산화금속 또는 탄산금속, 또는 산화금속 및 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌(fullerene)을 함유하는 전자주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 애노드를 형성하는 단계를 포함하는 것인,유기 발광 소자의 제조방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서,상기 캐소드 상에 산화금속 또는 탄산금속, 또는 산화금속 및 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌(fullerene)을 함유하는 전자주입층을 형성하는 단계 이후에, 상기 전자주입층 상에 전자수송층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서, 상기 전자수송층은 상기 산화금속 또는 상기 탄산금속, 또는 상기 산화금속 및 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌(fullerene)을 함유하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 22 |
22 제 19 항에 있어서,상기 전자주입층 상에 발광층을 형성하는 단계 이후에,상기 발광층 상에 정공주입층 또는 정공수송층, 또는 정공주입층 및 정공수송층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인, 유기 발광 소자의 제조방법 |
| 23 |
23 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는, 발광 디바이스(device) |
| 24 |
24 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는, 디스플레이 디바이스 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1347656-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20121204 출원 번호 : 1020120139406 공고 연월일 : 20140107 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131223 청구범위의 항수 : 24 유별 : H01L 51/50 발명의 명칭 : 도핑된 풀러렌을 함유하는 유기 발광 소자, 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20181228 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 490,500 원 | 2013년 12월 30일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 397,600 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 397,600 원 | 2017년 10월 27일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1003369-87 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.10.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2013.11.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0090977-19 |
| 4 | 등록결정서 | 2013.12.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0890708-80 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술번호 | KST2014059547 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 성균관대학교 |
| 기술명 | 전자주입 층으로 플러렌 층간 화합물를 구비하는 유기 전계 발광소자 |
| 기술개요 |
산화금속 및/또는 탄산금속에 의하여 도핑된 풀러렌을 함유하는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자의 제조방법, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 발광 디바이스, 및 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 디바이스에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 재료 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345196349 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R32-2012-000-10124-0 |
| 연구과제명 | 휴먼인터페이스 나노융합 요소기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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