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중성빔을 이용한 고품위 Si 저온 증착 방법

  • 기술번호 : KST2014059684
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다. 따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/32055(2013.01) H01L 21/32055(2013.01) H01L 21/32055(2013.01)
출원번호/일자 1020100017864 (2010.02.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1364364-0000 (2014.02.11)
공개번호/일자 10-2011-0098307 (2011.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 강세구 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 전민환 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 박종윤 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 박병재 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 연제관 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0128299-28
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims		 2010.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0018744-36
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0667224-03
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0672104-40
5 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0078184-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0088154-12
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0091875-11
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0274127-34
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0274120-15
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0548796-09
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0910234-63
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0910253-20
17 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0091866-45
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 챔버, 중성빔 공급부, 중성빔 공급 조절 셔터 및 제어부를 포함하되, 상기 중성빔 공급부는 플라즈마 챔버, 유도 코일, 그리드 어셈블리 및 반사체를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공하는 단계;상기 반응 챔버 내에 절연막이 형성된 기판을 안착시키는 단계;상기 중성빔 공급부의 플라즈마 챔버 내부로 불활성 기체를 포함하는 반응 가스를 공급하는 단계;상기 중성빔 공급부의 유도 코일에 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 중성빔 공급부의 그리드 어셈블리를 통해 상기 발생된 플라즈마를 이온빔으로 추출하는 단계;상기 중성빔 공급부의 반사체를 통해 상기 추출된 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및상기 중성빔을 상기 반응 챔버 내의 기판 상에 조사하여 반도체막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 플라즈마 챔버 내부로 공급되는 반응 가스는 SiH4 가스, H2 가스 및 불활성 기체가 혼합된 가스로서, 상기 불활성 가스는 상기 SiH4 가스 및 H2 가스와 함께 플라즈마화되어 상기 기판에 증착되는 증착원의 해리를 촉진시키기 위한 것이며,상기 그리드 어셈블리는 제1 그리드 및 제2 그리드를 포함하며 상기 그리드 어셈블리를 통해 상기 발생된 플라즈마를 이온빔으로 추출하는 단계에서, 상기 제1 그리드에는 양의 전압을 인가하고, 제2 그리드는 접지하는 것인,반도체 기판의 제조방법
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삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 불활성 기체는 Ne, Ar 및 Xe 중 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조방법
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삭제
5 5
삭제
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제1항에 있어서,상기 반사체는 다수의 슬릿을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조방법
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 정부)교과부-연구재단(구과학재단)-21C 프론티어 테라급나노소자개발사업 나노소자용 식각장비 제작 및 공정 개발