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센서 소자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014060007
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 센서 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 일측 표면에 입체 패턴으로 이루어진 패턴 영역이 형성된 제1기판; 상기 제1기판의 표면에 형성되고, 상기 패턴 영역 외곽에 위치한 전극들; 및 상기 제1기판의 일측 표면과 대향하는 일측 표면 상에 적어도 상기 패턴 영역의 일부를 덮으면서 상기 전극들과 전기적으로 접촉하는 가변 전도도 패턴;을 포함하는 센서 소자가 제공된다.
Int. CL G01L 9/00 (2006.01.01) C01B 31/02 (2006.01.01) G06F 3/041 (2006.01.01)
CPC G06F 3/041(2013.01)
출원번호/일자 1020100061035 (2010.06.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1269395-0000 (2013.05.23)
공개번호/일자 10-2012-0000667 (2012.01.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승백 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 임채현 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0413478-13
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0143649-82
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0032210-71
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0344911-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일측 표면에 입체 패턴으로 이루어진 패턴 영역이 형성된 제1기판;상기 제1기판의 표면에 형성되고, 상기 패턴 영역 외곽에 위치한 전극들; 및상기 제1기판의 일측 표면과 대향하는 일측 표면 상에 적어도 상기 패턴 영역의 일부를 덮으면서 상기 전극들과 전기적으로 접촉하는 가변 전도도 패턴;을 포함하는 센서 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 입체 패턴은 트랜치(trench) 형태, 물결(wavy) 형태 및 원을 포함하는 다각 기둥 형태 중 어느 한 형태로 이루어진 패턴인 센서 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전극들은 상기 패턴 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 위치하는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 센서 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 가변 전도도 패턴은 탄소 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 파티클, 금속 및 압전 물질 중 어느 하나를 포함하는 박막인 센서 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 센서 소자는 상기 가변 전도도 패턴 상부에 배치되는 제2기판을 더 포함하고,상기 제2기판과 가변 전도도 패턴 사이에 위치한 점착층을 더 포함하는 센서 소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제2기판은 플랙시블(flexible) 기판인 센서 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 전극들과 제1기판 사이에 위치한 버퍼층을 더 포함하는 센서 소자
8 8
일측 표면에 입체 패턴이 위치한 제1기판 및 일측 표면 상에 가변 전도도 패턴이 위치한 제2기판을 준비하는 단계;상기 입체 패턴의 외곽에 전극들을 형성하는 단계; 및상기 전극들에 가변 전도도 패턴이 접촉하도록 상기 제1기판과 제2기판을 접합하는 단계;를 포함하는 센서 소자 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 일측 표면 상에 가변 전도도 패턴이 위치한 제2기판을 준비하는 단계:는제2기판의 일측 표면 상에 점착층을 형성하는 단계;일측 표면에 가변 전도도 패턴이 형성된 다공성 나노 템플레이트 필터를 준비하는 단계;상기 다공성 나노 템플레이트 필터와 제2기판을 대면시키는 단계; 및상기 가변 전도도 패턴을 전사하여 상기 점착층 상에 상기 가변 전도도 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 일측 표면에 가변 전도도 패턴이 형성된 다공성 나노 템플레이트 필터를 준비하는 단계;는일표 표면 상에 상기 가변 전도도 패턴 형성을 위한 마스크 패턴이 형성된 다공성 나노 템플레이트 필터를 준비하는 단계;탄소 나노 튜브가 분산된 탄소 나노 튜브 용액을 준비하는 단계; 및상기 탄소 나노 튜브 용액을 상기 다공성 나노 템플레이트 필터를 이용하여 선택적 진공 여과법으로 진공 여과하여 상기 다공성 나노 템플레이트의 일측 표면 상에 가변 전도도 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 센서 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지방자치단체 한양대학교 산학협력단 서울시산학연협력사업(서울형산업기술개발지원사업) 탄소 나노튜브 박막의 표면구조변화를 이용한 고감도 압력 및 촉각센서개발