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웨이퍼 표면을 검사하기 위한 장치로서,웨이퍼를 수평방향(x축) 및 수직방향(y축)으로 이동가능하게 하는 스테이지 장치와,웨이퍼의 중심 수직상방(z축)에 설치되며 광학계와 카메라로 이루어지는 이미지 획득장치와,웨이퍼의 상방 양측에 형성되는 한 쌍의 라인 레이저로 이루어지며,상기 한 쌍의 라인 레이저는 웨이퍼의 중심의 수직상방(z축)에 대해 대칭으로 배치되고 웨이퍼에 조사되는 2개의 레이저빔이 웨이퍼 표면에 중첩적으로 조사되도록 경사지게 배치되고, 상기 한 쌍의 라인 레이저에서 조사된 선형 레이저빔의 폭은 상기 2개의 레이저빔의 양 단부를 제외한 폭이 레이저빔의 유효한 폭으로 설정되어 산란광을 발생시키기에 유효하도록 구성되며, 상기 한 쌍의 라인 레이저가 x 축 방향 각도(θzx) 및 y 축 방향 각도(θzy)를 가지도록 경사지게 배치되어 레이저빔이 x 축선상에 정렬되도록 조사되며, 상기 x 축 방향 각도(θzx) 및 y 축 방향 각도(θzy) 는 45도 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사장치
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청구항 1 에 있어서,상기 x 축 방향 각도(θzx) 및 y 축 방향 각도(θzy) 는 동일한 각도로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사장치
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서, 상기 한 쌍의 라인 레이저에서 조사되는 2개의 레이저빔이 중첩적되는 부분에 중첩되어 조사되도록 추가 라인 레이저를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사장치
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청구항 6 항에 있어서,상기 추가 라인 레이저는 yz 평면(θzx = 0)상에 하나 또는 한 쌍이 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사장치
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청구항 6 에 있어서,상기 추가 라인 레이저는 xz 평면(θzy = 0)상에 하나 또는 한 쌍이 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사장치
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청구항 6 에 있어서,상기 추가 라인 레이저는 상기 한 쌍의 라인 레이저에 대해 x 축을 중심으로 대칭되도록 배치되는 한 쌍의 라인 레이저인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사장치
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청구항 6 에 있어서,상기 추가 라인 레이저는 상기 한 쌍의 라인 레이저와 상이한 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사장치
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청구항 1 또는 청구항 4에 기재된 웨이퍼 표면 검사장치를 이용하여 웨이퍼 표면을 검사하는 방법으로서,수평방향 웨이퍼 표면 단위 이송폭에 대해 수직방향으로 웨이퍼를 이송시키면서 이미지를 획득하는 단계(s100);수평방향 웨이퍼 표면에 전체에 대한 이미지 획득 완료 여부를 판단하는 단계(s200);단계(s200)에서 수평방향 웨이퍼 표면 이미지 획득이 완료되지 않은 경우에는, 스테이지장치(100)를 통해 웨이퍼를 수평방향으로 단위 이송폭(u) 만큼 이송하고 단계(s100)를 반복하는 단계(s300); 및단계(s200)에서 수평방향 웨이퍼 표면 이미지 획득이 완료된 경우에는, 각 스테이지 장치의 위치정보에 대응하는 이미지 정보를 전체적으로 취합하고 가공하여 전체적인 웨이퍼 표면 이미지를 가공하는 단계(s400)로 이루어지되, 상기 s100 단계에서의 이미지 획득은, 한 쌍의 라인 레이저를 통해 선형 레이저빔이 중첩되게 조사한 다음 산란되는 이미지를 획득함에 따라 이뤄지며, 상기 한 쌍의 라인 레이저에서 조사된 선형 레이저빔의 폭은 2개의 레이저빔의 양 단부를 제외한 폭이 레이저빔의 유효한 폭으로 설정되어 산란광을 발생시키기에 유효하도록 구성되며, 상기 한 쌍의 라인 레이저가 x 축 방향 각도(θzx) 및 y 축 방향 각도(θzy)를 가지도록 경사지게 배치되어 레이저빔이 x 축선상에 정렬되도록 조사되며, 상기 x 축 방향 각도(θzx) 및 y 축 방향 각도(θzy) 는 45도 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사방법
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청구항 11 에 있어서,상기 단위 이송폭(u)은 카메라의 시야각(Field Of View;FOV)의 폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사방법
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청구항 11 에 있어서,상기 라인 레이저에서 조사되는 선형빔의 폭은 상기 단위 이송폭보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 검사방법
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