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유기-무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014061847
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 분자층 증착법(molecular layer deposition; MLD)을 통하여 무기 가교층과 유기 폴리머를 층간 결합시키는 것을 포함하는 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기-무기 혼성 박막 및 상기 유기-무기 혼성 박막을 포함하는 유기 전자 소자 및 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/448 (2006.01) G02F 1/133 (2006.01) C07F 7/00 (2006.01)
CPC C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01)
출원번호/일자 1020120016991 (2012.02.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1432737-0000 (2014.08.14)
공개번호/일자 10-2013-0014323 (2013.02.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110075168   |   2011.07.28
법적상태 소멸
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.20)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성명모 대한민국 서울 서초구
2 한규석 대한민국 서울 영등포구
3 조상호 대한민국 서울 성동구
4 한기복 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0135047-74
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0029376-64
3 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2012.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0031187-34
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0019266-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0528553-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0885225-75
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0885129-90
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0136496-44
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0386036-61
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0386037-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0488777-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
분자층 증착법(molecular layer deposition; MLD)을 통하여 무기 가교층과 UV 처리에 의하여 중합되는 폴리디아세틸렌 또는 비닐 에테르-알레이미드를 포함하는 광중합성 유기 폴리머를 층간 결합시키는 것을 포함하는, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 분자층 증착용 챔버 내에서 기재 상에 무기 가교층을 결합시키는 단계; 및,상기 기재 상에 결합된 상기 무기 가교층에 헥사디인 디올(hexadiyne diol; HDD)을 결합시킨 후 UV 처리하여 중합시키는 단계를 포함하는 공정 사이클을 1회 이상 수행하는 것을 포함하는, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 무기 가교층은 Zn, Al, Ti, Zr, Sn, Mn, Fe, Ni, Mo, 및 이들의 조합들로 이루어진 군 중에서 선택된 금속의 산화물을 포함하는 것인, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 유기-무기 혼성 박막은 2차원인 것인, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 헥사디인 디올(HDD)이 상기 기재 상에 결합된 상기 무기 가교층에 결합 시, 자기-종결(self-terminating) 반응하는 것을 포함하는 것인, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
7 7
제 2 항에 있어서,상기 기재 상에 상기 무기 가교층을 결합시킨 후 퍼징시키는 것을 추가 포함하는 것인, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
8 8
제 2 항에 있어서,상기 기재에 결합된 상기 무기 가교층에 상기 헥사디인 디올(HDD)을 결합시킨 후 퍼징시키는 것을 추가 포함하는 것인, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 퍼징은 아르곤(Ar), 질소(N2) 또는 헬륨(He)을 포함하는 퍼지가스로 퍼징시키는 것인, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 퍼징은 아르곤(Ar), 질소(N2) 또는 헬륨(He)을 포함하는 퍼지가스로 퍼징시키는 것인, 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법
11 11
제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 유기-무기 혼성 박막의 제조 방법에 의해 제조된, 유기-무기 혼성 박막
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 유기-무기 혼성 박막은 2차원인 것인, 유기-무기 혼성 박막
13 13
제 11 항의 유기-무기 혼성 박막을 포함하는 유기 전자 소자
14 14
기재; 상기 기재 상에 형성된 제 11 항에 따른 유기-무기 혼성 박막을 포함하는 반도체 채널; 및 상기 반도체 채널 상에 형성된 소스/드레인 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터
15 15
제 14 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터가 1
지정국 정보가 없습니다
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1 US09012891 US 미국 FAMILY
2 US20130026455 US 미국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 도약연구지원사업 분자층성장 기술을 이용한 유기-무기 나노복합초격자 제조 및 응용 연구