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게이트 전극;상기 게이트 전극 일 측에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 일 측에 형성되며, 금속 산화물층을 포함하는 액티브층; 및상기 액티브층의 일 측에 마련되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 금속 산화물 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 금속 산화물층의 두께는 1
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제2 항에 있어서,상기 금속 산화물층의 두께는 1
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제2 항에 있어서,상기 금속 산화물층의 두께는 1
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제1 항에 있어서,상기 금속 산화물층의 표면 거칠기는 RMS 4
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기판을 준비하는 단계; 및상기 기판의 일 측에 금속 산화물층을 포함하는 액티브층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 액티브층을 형성하는 단계는,상기 기판이 마련된 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서, 금속 산화물층 증착을 위한, 소스 가스를 제공함으로써, 상기 챔버 내의 압력을 증가시켜, 상기 소스 가스를 상기 밀폐된 챔버 내의 상기 기판에 흡착시키는 소스 가스 가압 도징(dosing) 단계:상기 소스 가스 가압 도징 단계 이후, 퍼지시키는 제1 메인 퍼징(main purging) 단계;상기 제1 메인 퍼징 단계 후에, 반응 가스를 제공하여, 상기 기판에 금속 산화물층을 증착시키는 반응 가스 도징 단계; 및상기 반응 가스 도징 단계 이후, 퍼지시키는 제2 메인 퍼징 단계;를 포함하는 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 소스 가스 가압 도징 단계, 상기 제1 메인 퍼징 단계, 상기 반응 가스 도징 단계, 및 상기 제2 메인 퍼징 단계는 단위 공정을 구성하고,상기 단위 공정의 반복 횟수에 따라 상기 액티브층의 전기적 특성이 가변하는, 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 금속 산화물층이 징크 옥사이드를 포함하는 경우,상기 단위 공정의 반복 횟수는 7 초과 35 이하인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 소스 가스 가압 도징 단계는, 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계 및 상기 적어도 두 번의 서브 가압 단계 사이의 서브 퍼징 단계를 포함하는, 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제9 항에 있어서,상기 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계의 각각의 압력의 크기는 서브 가압 도징 단계의 횟수에 따라 증가하는 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 소스 가스 가압 도징 단계는, 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계 및 상기 적어도 두 번의 서브 가압 단계 사이의 서브 퍼징 단계를 더 포함하며,상기 반응 가스 도징 단계는, 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계 및 상기 적어도 두 번의 서브 가압 단계 사이의 서브 퍼징 단계를 더 포함하며,상기 소스 가스 가압 도징 단계의 서브 퍼징 단계의 시간은, 상기 반응 가스 가압 도징 단계의 서브 퍼징 단계의 시간 보다 짧은, 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 소스 가스는, DEZ를 포함하고, 상기 반응 가스는, H2O를 포함하는 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 소스 가스 가압 도징 단계, 상기 제1 메인 퍼징 단계, 상기 반응 가스 도징 단계, 및 상기 제2 메인 퍼징 단계는 단위 공정을 구성하고,상기 단위 공정이 소정 횟수 반복 수행되는, 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 소정 횟수는 7회 초과인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서, 상기 소스 가스 가압 도징 단계는,상기 소스 가스를 제공하여, 상기 챔버 내의 압력을 증가시킨 후, 상기 증가된 압력을 소정 시간 유지하는 노출 단계를 더 포함하는, 금속 산화물 트랜지스터의 제조방법
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