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전자를 공급하는 n 클래드층;상기 n 클래드층 상에 형성되고, 밴드갭이 변화하는 제1 밴드 경사층;상기 제1 밴드 경사층 상에 형성되고, 발광동작을 수행하는 다중양자우물층;상기 다중양자우물층 상에 형성되고, 밴드갭이 변화하는 제2 밴드 경사층; 및상기 제2 밴드 경사층 상에 형성되고, 정공을 공급하는 p 클래드층을 포함하고,상기 제1 밴드 경사층은 n 타입의 도전형을 가지고, 상기 다중양자우물층과 접하는 부위의 밴드갭은 상기 다중양자우물층의 장벽층의 밴드갭 미만값을 가지고,상기 제2 밴드 경사층은 p 타입의 도전형을 가지고, 상기 다중양자우물층과 접하는 부위의 밴드갭은 상기 다중양자우물층의 장벽층의 밴드갭 미만값을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1 밴드 경사층은 GaN을 가지고, Si을 도판트로 이용하며, 상기 다중양자우물층에 가까울수록 In의 농도가 증가하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1 밴드 경사층은 상기 다중양자우물층과 접하는 부위의 밴드갭이 상기 다중양자우물층의 우물층의 밴드갭 이상의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제3항에 있어서, 상기 제1 밴드 경사층의 밴드갭은 상기 다중양자우물층에 근접할수록 감소하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2 밴드 경사층은 GaN을 가지고, Mg을 도판트로 이용하며, 상기 p 클래드층에 가까울수록 In의 농도가 감소하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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6
제1항에 있어서, 상기 제2 밴드 경사층은 상기 다중양자우물층과 접하는 부위의 밴드갭이 상기 다중양자우물층의 우물층의 밴드갭 이상의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제6항에 있어서, 상기 제2 밴드 경사층의 밴드갭은 상기 다중양자우물층에 근접할수록 감소하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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