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투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174830
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류 주입 효율을 향상시키며 발광 효율을 향상시킬 수 있는 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자는 실리콘 기판과, 실리콘 기판 상부에 형성됨과 아울러 실리콘 양자점을 형성시킨 실리콘 발광층과, 실리콘 발광층 상부에 형성되어 실리콘 발광층으로 전자를 주입함과 아울러 알루미늄 금속보다 작은 일함수를 가지는 금속으로 형성된 전자주입층과, 전자주입층 상부에 형성되어 전자주입층으로 전류를 골고루 스프레딩하는 제1 금속층과, 제1 금속층 상부에 형성되어 실리콘 발광층으로부터 발생한 빛이 발광소자 외부로 방출되게끔 투명한 금속으로 형성된 투명전극과, 투명전극 상부에 형성되어 전자주입층, 제1 금속층 및 투명전극으로 전자를 주입할 때 발생하는 접촉저항을 줄이는 접촉패드와, 실리콘 기판 배면에 실리콘 발광층으로 정공을 주입시키게끔 형성된 제2 금속층을 구비하는 것을 특징으로 한다.이에 따라, 본 발명에 따른 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조방법은 낮은 일함수를 가지는 금속들을 접합함으로써 전류 주입 효율을 향상시키며 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/04 (2014.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020050051656 (2005.06.15)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0589250-0000 (2006.06.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김백현 대한민국 광주광역시 북구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0317204-28
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0305084-91
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0563926-02
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판과,상기 실리콘 기판 상부에 형성됨과 아울러 실리콘 양자점을 형성시킨 실리콘 발광층과,상기 실리콘 발광층 상부에 형성되어 상기 실리콘 발광층으로 전자를 주입함과 아울러 알루미늄 금속보다 작은 일함수를 가지는 금속으로 형성된 전자주입층과,상기 전자주입층 상부에 형성되어 상기 전자주입층으로 전류를 골고루 스프레딩하는 제1 금속층과,상기 제1 금속층 상부에 형성되어 상기 실리콘 발광층으로부터 발생한 빛이 발광소자 외부로 방출되게끔 투명한 금속으로 형성된 투명전극과,상기 투명전극 상부에 형성되어 상기 전자주입층, 제1 금속층 및 투명전극으로 전자를 주입할 때 발생하는 접촉저항을 줄이는 접촉패드와,상기 실리콘 기판 배면에 상기 실리콘 발광층으로 정공을 주입시키게끔 형성된 제2 금속층을 구비하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전자주입층은 니켈 마그네슘(NiMg)인 것을 특징으로 하는 투명전극을 이용한 양자점 발광소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전자주입층은 타이타늄 나이트라이드(TiN), ZrN, HfN, VN, NbN, TaN 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 투명전극은 ITO, AZO(ZnO:Al), GIO((Ga, In)2O3), ZTO(ZnSnO3), MIO(MgIn2O4), ZIO(Zn2In2O5) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자
5 5
실리콘 기판 상에 실리콘 양자점을 형성시킨 실리콘 발광층으로 전자를 주입하고 알루미늄 금속보다 작은 일함수를 가지는 금속으로 전자주입층을 형성하는 단계와,상기 전자주입층으로 전류를 골고루 스프레딩하게끔 상기 전자주입층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계와,상기 제1 금속층 상에 상기 실리콘 발광층으로부터의 광을 발광소자 외부로 방출하게끔 투명 금속의 투명전극을 형성하는 단계와,상기 투명전극 상에 상기 전자주입층, 제1 금속층 및 투명전극으로 전자를 주입할 때 발생하는 접촉저항을 줄이는 접촉패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 전자주입층, 제1 금속층, 투명전극 및 접촉패드는 300 ~ 500℃ 온도의 공기와 질소 분위기에서 각각 1 ~ 3분 정도 열처리되는 것을 특징으로 하는 투명전극을 이용한 실리콘 양자점 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.