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실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174358
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표면 플라즈몬을 이용하는 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 실리콘 기판 상에 표면 플라즈몬층이 형성되고 표면 플라즈몬층 상에 양자점을 가진 실리콘 발광층이 구비된다. 표면 플라즈몬층은 실리콘 발광층과 커플링되고, 소정의 반사율을 가진 Ag, Au, Al, Cu, Pt 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 형성된다. 표면 플라즈몬층은 1차원 또는 2차원 배열의 불규칙적이거나 규칙적인 배열을 가지고, 실리콘 발광층과 커플링되어 광효율을 향상시킨다.
Int. CL H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070005714 (2007.01.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0899940-0000 (2009.05.21)
공개번호/일자 10-2008-0068241 (2008.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.18)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 김백현 대한민국 광주광역시 북구
3 조창희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0053439-05
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0675475-07
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0104035-83
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0181909-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0181921-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0591677-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0038370-15
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0038349-66
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0038366-32
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0203043-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 표면 플라즈몬층; 상기 표면 플라즈몬층 상에 실리콘 양자점이 형성된 실리콘 발광층; 상기 실리콘 발광층 상에 형성되어 상기 실리콘 발광층에 전자를 주입하기 위한 제1 금속층; 및 상기 실리콘 기판 배면에 형성되고, 상기 실리콘 발광층으로 정공을 주입하기 위한 제2 금속층을 포함하되, 상기 표면 플라즈몬층은 관통부들을 구비하고, 상기 표면 플라즈몬층의 표면 플라즈몬은 상기 실리콘 발광층에서 발생되는 광과 상호 커플링되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬층은 Ag, Au, Al, Cu, Pt 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬층은 라인 형태, 2차원 배열의 아일랜드 형태 또는 2차원 배열의 홀 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 금속층은, 상기 실리콘 발광층 상에 형성되고, 상기 실리콘 발광층으로 전자를 주입하기 위한 전자 주입층; 상기 전자 주입층 상에 형성되고, 상기 전자 주입층으로 전류를 골고루 스프레딩하기 위한 전류 스프레딩층; 및 상기 전류 스프레딩층 상에 형성되고, 상기 실리콘 발광층으로부터 발생되는 빛이 상기 발광소자 외부로 방출되도록 하기 위한 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자
5 5
실리콘 기판 상에 표면 플라즈몬층을 형성하는 단계; 상기 표면 플라즈몬층 상에 실리콘 양자점이 형성된 실리콘 발광층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 발광층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 기판의 배면에 상기 실리콘 발광층으로 홀을 주입하기 위한 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 표면 플라즈몬층은 관통부들을 구비하고, 상기 표면 플라즈몬층의 표면 플라즈몬은 상기 실리콘 발광층에서 발생되는 광과 상호 커플링되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 금속층을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판 상에 전자를 주입하기 위한 전자 주입층을 형성하는 단계; 상기 전자 주입층 상에 상기 전자 주입층으로 전류를 골고루 스프레딩하기 위한 전류 스프레딩층을 형성하는 단계; 및 상기 전류 스프레딩층 상에 상기 실리콘 발광층으로부터 발생되는 빛이 외부로 방출되도록 하기 위한 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬층은 Ag, Au, Al, Cu, Pt 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬층은 라인 형태, 2차원 배열의 아일랜드 형태 또는 2차원 배열의 홀 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자의 제조방법
9 9
제3항에 있어서, 상기 라인 형태는 0
10 10
제8항에 있어서, 상기 라인 형태는 0
11 11
제1항에 있어서, 상기 실리콘 발광층의 두께는 10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자
12 12
제5항에 있어서, 상기 실리콘 발광층의 두께는 10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.