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고품질 박막 증착을 위한 황산을 이용한 사파이어 기판전처리 방법

  • 기술번호 : KST2014062473
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품질의 박막을 증착하기 위하여 황산 (H2SO4) 용액을 이용하여 사파이어 기판을 전처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따를 경우 표면이 평탄하고 표면의 평균 조도 (surface RMS roughness)가 0.20 nm 이하로 매우 매끄러우며 피트 (pit)가 없는 우수한 표면을 갖는 기판을 얻을 수 있다. 또한, 이러한 기판을 이용하여 박막을 증착시 기판에 의한 영향을 최소화할 수 있다. 사파이어 기판, 황산, 피트, 평균 조도
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020030076164 (2003.10.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0543859-0000 (2006.01.10)
공개번호/일자 10-2005-0041123 (2005.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20060123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시양천구
2 최지원 대한민국 서울특별시성동구
3 윤석진 대한민국 서울특별시도봉구
4 김현재 대한민국 서울특별시성동구
5 노영수 대한민국 대전광역시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)쓰리엘시스템 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0408376-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0028975-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0295309-54
5 의견서
Written Opinion		 2005.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0466697-63
6 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0668778-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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황산에 사파이어 기판을 넣은 후 310 내지 330℃에서 20 내지 40분 동안 가열하여 사파이어 기판을 에칭하는 단계를 포함하는 사파이어 기판의 전처리 방법
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황산에 사파이어 기판을 넣은 후 310 내지 330℃에서 20 내지 40분 동안 가열하여 사파이어 기판을 에칭하는 단계를 포함하는 사파이어 기판의 전처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.