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센싱물질을 함유하는 한 개 이상의 나노구조체의 배열을 포함하는, 센서
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제 1 항에 있어서,상기 센싱물질은 황화수소(H2S) 가스를 감지하는 것인, 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 나노구조체의 형상은 라인 패턴, 격자 형상, 굴곡진 형상, 원기둥 형상, 사각기둥 형상, 역원뿔 형상, 직육면체 형상, 팽이 형상, 컵 형상 및 ㄷ자 형상으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 센서
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제 1 항에 있어서,상기 센싱물질의 그레인의 크기(grain size)는 100 nm 이하인 것인, 센서
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제 1 항에 있어서,상기 센싱물질은 금속, 금속산화물, 금속황화물, 고분자 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 센서
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제 5 항에 있어서,상기 센싱물질은 Au, Ag, Cu, Al, Ni, Pt, Pd, Sn, Mo, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, In, W, Ir 및 Si으로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속을 포함하는 것인, 센서
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제 5 항에 있어서, 상기 금속은 Au-Cu, Au-Pt, Au-Ni, Au-Ag, Au-Pd, Pd-Ag, Ni-Sn, Mo-Ni, Au-Al, Au-Sn, Au-Mo, Au-Ti, Au-Cr, Au-Mn, Au-Fe, Au-Co, Au-Zn, Au-In, Au-W, Au-Ir, Au-Si, Ag-Cu, Ag-Al, Ag-Ni, Ag-Pt, Ag-Pd, Ag-Sn, Ag-Mo, Ag-Ti, Ag-Cr, Ag-Mn, Ag-Fe, Ag-Zn, Ag-In, Ag-W, Ag-Ir, Ag-Si, Sn-Ni, Sn-W, Sn-Cu 및 W-Pt으로 이루어진 군에서 선택된 이성분계 물질 또는 Au-Sn-Ni, Au-Sn-W, Au-Sn-Cu, Au-Ag-Cu, Au-Cu-Pt, Au-Ag-Pt, Au-Ag-Pd, Au-Cu-Pd, Ag-Cu-Pt, Ag-Cu-Pd, Pt-Sn-Ni, Pt-Sn-W 및 Pt-Sn-Cu으로 이루어진 군에서 선택된 삼성분계 물질을 포함하는 것인, 센서
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제 1 항에 있어서,상기 센싱물질은 SnO2(1-a)/NiOa, SnO2(1-a)/WO3a, SnO2(1-a)/CuOa, SnO2(1-a)/Aua, WO3(1-a)/Aua 또는 WO3(1-a)/Pta의 이성분계 물질 또는 SnO2(1-b-c)/NiOb/Auc, SnO2(1-b-c)/WO3b/Auc, SnO2(1-b-c)/WO3b/Ptc의 삼성분계 물질인 것을 포함하는 것이고, 0≤a≤0
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제 1 항에 있어서,상기 센싱물질 그레인의 크기는 100 nm 이하, 그레인 계면갭(grain interface gap)은 50 nm 이하인 것인, 센서
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10
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체의 종횡비는 1 이상, 선폭은 50 nm 이하인 것인, 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 나노구조체는 황화수소 가스의 감지 시 응답 진폭(Rair/Ra)은 40 이상이고, 응답 시간(Response time)은 100 초 미만이고, 복구 시간(Recovery time)은 250 초 미만인 것인, 센서
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12
(a) 프리패턴이 형성된 기판에 센싱물질을 증착하고,(b) 이온식각공정을 통해 상기 센싱물질을 프리패턴의 측면에 재증착하여 나노패턴을 형성하고,(c) 이온식각공정을 통해 상기 프리패턴을 제거하여 나노구조체를 형성하는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 센서의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 센싱물질은 금속, 금속산화물, 금속황화물, 고분자 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 센서의 제조 방법
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14
제 12 항에 있어서,상기 센싱물질은 Au, Ag, Cu, Al, Ni, Pt, Pd, Sn, Mo, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, In, W, Ir 및 Si으로 이루어진 군에서 선택되 1 종 이상의 금속을 포함하는 것인, 센서의 제조 방법
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15
제 14 항에 있어서,상기 센싱물질은 Sn, Ni, W, Cu, Au 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상이고, 상기 Sn, Ni, W, Cu, Au 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상을 차례로 증착하고, 이온식각공정을 통해 상기 증착된 각 층을 상기 프리패턴의 측면에 재증착하여 상기 나노패턴을 형성하고,이온식각공정을 통해 상기 프리패턴을 제거하고, 상기 나노패턴을 어닐링하는 것을 포함하는, 센서의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 센싱물질의 증착에 있어서, 증착시키는 순서, 증착 두께 또는 증착 횟수를 조절하거나, 증착 이후의 이온식각공정의 각도 또는 이온식각공정의 시간 조절을 통해, 재증착되는 센싱물질의 성분, 함량비 또는 형태를 변화시킬 수 있는 것인, 센서의 제조 방법
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