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800nm 대역의 고출력 레이저의 COD저감 제작기술

  • 기술번호 : KST2014063182
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드는, 축 방향으로 형성된 제 1 회절격자 층을 갖는 제 1 영역, 상기 제 1 영역에 인접하고 상기 축 방향으로 형성된 제 2 회절격자 층을 갖는 제 2 영역, 및 상기 제 1 및 제 2 영역들 위에 형성된 활성층을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 영역들은, 선택 영역 성장 방법으로 상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들의 결합계수들이 서로 다르게 구현된다. 본 발명의 실시 예에 따른 분포 궤환형 레이저 다이오드 및 그것의 제조 방법은 비대칭 계수를 갖는 회절격자층들을 구비하면서 높은 단면 출력과 안정된 단일 모드 특성을 동시에 얻을 수 있는 최적의 범위로 구현됨으로써, 높은 제조 수율 및 낮은 제조 비용을 도모할 수 있다.
Int. CL H01S 5/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110065556 (2011.07.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0003913 (2013.01.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오기 대한민국 대전광역시 유성구
2 임영안 대한민국 대전광역시 유성구
3 이동훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 이철욱 대한민국 대전광역시 유성구
5 백용순 대한민국 대전광역시 유성구
6 정윤철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0506293-56
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0036840-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
축 방향으로 형성된 제 1 회절격자 층을 갖는 제 1 영역;상기 제 1 영역에 인접하고 상기 축 방향으로 형성된 제 2 회절격자 층을 갖는 제 2 영역; 및상기 제 1 및 제 2 영역들 위에 형성된 활성층을 포함하고,상기 제 1 및 제 2 영역들은, 선택 영역 성장 방법을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들의 결합계수들이 서로 다르게 구현되는 분포 궤환형 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,단일 축 방향 모드 동작(single longitudinal mode operation)을 수행하기 위하여, 회절격자의 위상을 동작 파장의 4분의 1만큼 이동시키는 분포 궤환형 레이저 다이오드
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이에 상기 회절격자의 위상을 동작 파장의 4분의 1만큼 이동시키도록 상기 축 방향으로 형성된 위상 이동 영역을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
4 4
제 2 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역이 인접한 면에서 상기 회절격자의 위상이 동작 파장의 4분의 1만큼 이동되는 분포 궤환형 레이저 다이오드
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 및 회절격자 층들의 두께들은 서로 다른 분포 궤환형 레이저 다이오드
6 6
제 5 항에 있어서,상기 인접한 면에서 상기 제 1 및 제 2 회절격자들의 두께들의 비율은 1
7 7
제 5 항에 있어서,상기 인접한 면에서 상기 제 1 및 제 2 회절격자들의 두께들의 비율은 1
8 8
제 5 항에 있어서,상기 활성층과 상기 제 1 회절격자 층 사이의 두께와 상기 활성층과 상기 제 2 회절격자 층 사이의 두께는 서로 다른 분포 궤환형 레이저 다이오드
9 9
제 1 항에 있어서,상기 축 방향으로 상기 제 1 영역의 길이와 상기 제 2 영역의 길이는 동일하고, 상기 제 1 및 제 2 회절격자층들은 동일한 회절격자의 모양을 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 회절격자층의 결합 계수 대비 상기 제 2 회절격자층의 결합 계수의 비율은 0
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 인접한 면과 다른 제 1 면을 갖고,상기 제 1 면에 코딩된 고반사막을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제 2 영역은 상기 인접한 면과 다른 제 2 면을 갖고,상기 제 2 면에 코팅된 무반사막을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
13 13
선택 영역 성장 방법을 이용하여 제 1 및 제 2 회절격자 층들을 형성하는 단계;상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들 위에 스페이서 층을 형성하는 단계; 및상기 스페이서 층 위에 클래드 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들은 서로 인접하고, 서로 다른 결합계수들을 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들을 형성하는 단계는,상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들의 두께들을 서로 다르게 하는 단계를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들의 두께들은 마스크에서 오픈 영역의 폭을 조정함으로써 변화되는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
16 16
제 14 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들의 두께들은 마스크의 폭을 조정함으로써 변화되는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
17 17
제 13 항에 있어서,상기 스페이서 층을 형성하는 단계는,상기 제 1 회절격자 층과 상기 활성층 사이의 두께와 상기 제 2 회절격자 층과 상기 활성층 사이의 두께를 서로 다르게 하는 단계를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
18 18
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들의 결합계수를 급격하게 변화시키기 위하여마스크의 폭이 조정되는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
19 19
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 회절격자 층들의 결합계수를 완만하게 변화시키기 위하여 마스크가 테이퍼링되는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
20 20
제 13 항에 있어서,상기 오믹 층을 형성하는 단계 이후에 리지형 도파로 형성하는 단계를 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20130003771 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013003771 US 미국 DOCDBFAMILY
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