맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

중성빔을 이용한 초정밀 원자층 식각 기술 및 이를 이용한 Sub-nano 소자제작

  • 기술번호 : KST2014065221
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하여 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각하는 단계를 구비하여 이루어지고, 상기 이온빔 추출 및 가속 단계에서, 식각 가스로 CF계열의 가스를 사용하여 이온빔을 추출하는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법을 제공한다. 여기서, 상기 식각 가스는 CF4이고, 상기 첨가가스는 H2인 것이 바람직하다. 이에 의해, PR과 실리콘 및 실리콘옥사이드의 선택비를 크게할 수 있다. 중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 식각,
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01)
출원번호/일자 1020050024673 (2005.03.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0668075-0000 (2007.01.05)
공개번호/일자 10-2006-0102755 (2006.09.28) 문서열기
공고번호/일자 (20070115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.24)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 이도행 대한민국 경기 수원시 장안구
3 박병재 대한민국 충남 계룡시 남선면 남선리 *** 군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0156348-17
2 보정요구서
Request for Amendment		 2005.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0022267-46
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0230743-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.05.20 수리 (Accepted) 4-1-2005-5050683-10
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0033746-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0289508-82
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0515573-84
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0596229-14
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0687756-76
11 의견서
Written Opinion		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0764828-05
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0764835-14
13 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0769324-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔 식각장치를빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 실리콘, 실리사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 어느 하나로 이루어진 물질층을 식각하는 단계를 구비하여 이루어지고, 상기 이온빔 추출 및 가속 단계에서, 식각 가스로 CF계열의 가스를 사용하여 이온빔을 추출하는 것을 특징으로 하는 중성 이용한 식각방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 CF계열의 가스는 CXFY(X=1~5,Y=4~8)인 가스인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 이온빔 추출 및 가속 단계에서 상기 식각 가스와 함께 첨가 가스로, 예컨대 O2, Ar, N2, H2 중 어느 하나를 더 사용하는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 반사체는 입사되는 이온빔이 소정의 입사각으로 충돌 한 후 반사되는 복수개의 반사체홀 또는 슬릿부를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 식각 가스는 CF4이고, 상기 첨가가스는 H2인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
6 6
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체홀 또는 슬릿부의 표면으로 입사되는 이온빔의 입사각이 15°이내의 범위인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
7 7
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체홀 또는 슬릿부의 표면으로 입사되는 이온빔의 입사각이 3°내지 15°의 범위인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
8 8
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체홀 또는 슬릿부의 표면에 입사되는 이온빔의 입사각이 3°인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
9 9
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체홀 또는 슬릿부의 표면에서 반사되는 이온빔의 반사각이 40° 이하인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
10 10
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체홀 또는 슬릿부는 반도체기판, 다이아몬드상카본(DLC), 글래시카본(glassy carbon) 등의 도전체 경면 또는 금속기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 이온소오스는 용량결합(capacitively coupled) RF형 이온빔 소오스나, 헬리콘 웨이브 결합 이온빔 소오스, 음이온 소오스, 전자-사이크로트론 반응기(ECR) 이온빔 소오스 또는, 유도결합형 플라즈마 소오스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 이온소오스는 유도결합형 플라즈마 소오스인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 피식각기판상의 특정 물질층은 실리콘, 실리사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
14 14
제5항에 있어서, 상기 식각 가스인 CF4의 공급량은 15sccm 내지 4
15 15
제1항에 있어서, 상기 이온빔소스에는 인가되는 RF파워는 300W이고, 반사체로 입사되는 이온빔의 가속전압은 400V인 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
16 16
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반사체 내의 반사체홀 또는 슬릿부는 이온빔의 직진 방향에 대하여 일정한 각도로 경사지는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.