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열전모듈 제조기술

  • 기술번호 : KST2015002300
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 공정을 이용하여 박막형 열전모듈을 제조하는 방법으로서, (a) 실리콘 기판의 상면을 통하여 상기 실리콘 기판 내부에 P형 반도체를 일정 간격으로 실장하는 단계, (b) 상기 실리콘 기판의 하면을 통하여 이웃하는 상기 P형 반도체 사이에 N형 반도체를 일정 간격으로 실장하는 단계, (c) 상기 실리콘 기판의 상, 하면에서 상기 P, N형 반도체를 노출시키고, 이웃하는 P,N형 반도체를 서로 통전 가능하게 연결하는 전극을 형성하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하여, 적층 반도체칩 패키지에 사용하기 적합한 컴팩트한 구성으로 각 반도체 칩에서 발생된 열을 배출 가능하게 함으로써 반도체 칩의 성능저하나 파손을 방지할 수 있는 박막형 열전모듈의 제조방법이다. 열전소자, 적층 반도체칩 패키지, 박막형 열전모듈
Int. CL H01L 35/28 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020090102387 (2009.10.27)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0989643-0000 (2010.10.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20101026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.27)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 현승민 대한민국 대전광역시 유성구
2 장봉균 대한민국 대전광역시 유성구
3 이학주 대한민국 대전광역시 유성구
4 최병익 대한민국 대전광역시 유성구
5 송준엽 대한민국 대전광역시 유성구
6 송재용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0658343-68
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0136637-01
3 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination		 2010.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0227592-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0248619-74
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0514409-64
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0514411-56
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0412106-12
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.10.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0643206-95
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0643205-49
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2010.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0455315-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 공정을 이용하여 박막형 열전모듈을 제조하는 방법으로서, (a) 실리콘 기판의 상면을 통하여 상기 실리콘 기판 내부에 P형 반도체를 일정 간격으로 실장하는 단계 (b) 상기 실리콘 기판의 하면을 통하여 이웃하는 상기 P형 반도체 사이에 N형 반도체를 일정 간격으로 실장하는 단계 및 (c) 상기 실리콘 기판의 상, 하면에서 상기 P, N형 반도체를 노출시키고, 이웃하는 P,N형 반도체를 서로 통전 가능하게 연결하는 전극을 형성하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 P형 반도체를 실장하는 단계는, (a-1) 상기 실리콘 기판의 상면에 감광성수지(Phtoresist)를 코팅하여 감광성수지층(15)을 형성하는 단계 (a-2) 상기 감광성수지층 상에 P형 반도체가 실장될 위치에 따라 천공된 마스크(mask)를 배열하고, 자외선을 조사하여 감광성수지층 중 자외선에 노출된 부분을 제거하는 단계 (a-3) 제거된 감광성수지층을 통하여 노출된 실리콘 기판을 식각하여 P형 반도체자리를 형성하는 단계 (a-4) 상기 P형 반도체자리에 절연층을 형성하는 단계 (a-5) 상기 실리콘 기판의 상면에서 감광성수지층을 제거한 후 상기 P형 반도체자리에 P형 반도체를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 N형 반도체를 실장하는 단계는, (b-1) 상기 실리콘 기판의 하면에 감광성수지를 코팅하여 감광성수지층을 형성하는 단계 (b-2) 상기 감광성수지층 상에 이웃하는 P형 반도체의 중간 위치가 천공된 마스크를 배열하고, 자외선을 조사하여 감광성수지층 중 자외선에 노출된 부분을 제거하는 단계 (b-3) 제거된 감광성수지층을 통하여 노출된 실리콘 기판을 식각하여 N형 반도체자리를 형성하는 단계 (b-4) 상기 N형 반도체자리에 절연층을 형성하는 단계 (b-5) 상기 실리콘 기판의 하면에서 감광성수지층을 제거한 후 상기 N형 반도체자리에 N형 반도체를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 P형 반도체자리를 형성하는 단계 및 N형 반도체자리를 형성하는 단계는 심도반응성이온에칭(Deep Reactive Ion Eching)법을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
5 5
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 P형 반도체자리를 형성하는 단계 및 N형 반도체자리를 형성하는 단계는 웨트 에칭(Wet Etching)법을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
6 6
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 P형 반도체자리를 형성하는 단계 및 N형 반도체자리를 형성하는 단계를 수행하기 전에 상기 절연층에 시드레이어를 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
7 7
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 P형 반도체를 증착하는 단계 및 N형 반도체를 증착하는 단계는 전기도금법(electroplating)을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
8 8
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 P형 반도체를 증착하는 단계 및 N형 반도체를 증착하는 단계는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)법을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계는 (c-1) 상기 실리콘 기판의 내부에 증착된 P형 반도체 및 N형 반도체가 상기 실리콘 기판의 표면에 드러나도록 상기 실리콘 기판의 상면 및 하면을 폴리싱하는 단계 (c-2) 마스크를 이용하여 상기 실리콘 기판의 상면에 P형 반도체와 N형 반도체가 쌍을 이루도록 노출시키고, 마스크로부터 노출된 부분에 P형 반도체와 N형 반도체를 연결하는 전극을 형성하는 단계 (c-3) 마스크를 이용하여 상기 실리콘 기판의 하면에 상면과 교대로 P형 반도체와 N형 반도체가 쌍을 이루도록 노출시키고 마스크로부터 노출된 부분에 P형 반도체와 N형 반도체를 연결하는 전극을 형성하여 P형 반도체와 N형 반도체가 전체적으로 직렬로 연결되도록 하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전모듈의 제조방법
10 10
제1항,제2항,제3항,제9항 어느 한 항의 방법으로 제조된 박막형 열전모듈이 반도체모듈 사이에 삽입되는 것을 특징으로 하는 적층 반도체칩 패키지
11 11
제10항에 있어서, 열 배출 통로로 사용되는 더미모듈이 더 삽입되는 것을 특징으로 하는 적층 반도체칩 패키지
12 12
제11항에 있어서, 각 모듈간은 열 인터페이스 재료(thermal interface materials)를 사용하여 연결되는 것을 특징으로 하는 적층 반도체칩 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 기관협동연구 능동냉각 및 공정 신뢰성 기술 개발