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광투과성을 가진 기판상에 양극(anode)을 증착하는 양극증착단계;
상기 양극의 상측에 도너(donor)층과 억셉터(acceptor)층을 포함하는 광활성층을 적층하는 광활성층 적층단계;
상기 광활성층에 정전기력을 인가하여 상기 광활성층에 포함된 고분자 물질의 측쇄사슬(side chain)을 비등방성으로 정렬하는 광활성층 정렬단계;
상기 광활성층을 열처리하는 광활성층 열처리단계;
상기 광활성층의 상측에 음극(cathode)을 증착하는 음극증착단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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광투과성을 가진 기판상에 양극을 증착하는 양극증착단계;
상기 양극의 상측에 도너층을 적층하는 제1적층단계;
상기 도너층에 정전기력을 인가하여 상기 도너층에 포함된 고분자 물질의 측쇄사슬(side chain)을 비등방성으로 정렬하는 제1정렬단계;
상기 도너층을 열처리하는 제1열처리단계;
상기 도너층의 상측에 억셉터층을 적층하는 제2적층단계;
상기 억셉터층에 정전기력을 인가하여 상기 억셉터층에 포함된 고분자 물질의 측쇄사슬을 비등방성으로 정렬하는 제2정렬단계;
상기 억셉터층을 열처리하는 제2열처리단계;
상기 억셉터층의 상측에 음극을 증착하는 음극증착단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도너층에 포함된 고분자 물질은 폴리-3-헥실티오펜(P3HT)이고,
상기 억셉터층에 포함된 고분자 물질은 풀러렌(Fullerene, C60) 치환제인 PCBM([6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester)인 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 광활성층 정렬단계는,
10℃ 내지 30℃의 온도에서 1분 내지 1시간 동안 상기 광활성층에 정전기력를 인가하는 정전기력 인가단계;
정전기력을 인가하지 않은 상태에서 상기 광활성층에 잔존하는 유기용매를 완전히 증발시키는 증발단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 제1정렬단계는,
10℃ 내지 30℃의 온도에서 1분 내지 1시간 동안 상기 도너층에 정전기력를 인가하는 도너층 정전기력 인가단계;
정전기력을 인가하지 않은 상태에서 상기 도너층에 잔존하는 유기용매를 완전히 증발시키는 도너층 증발단계;를 포함하고,
상기 제2정렬단계는,
10℃ 내지 30℃의 온도에서 1분 내지 1시간 동안 상기 억셉터층에 정전기력를 인가하는 억셉터층 정전기력 인가단계;
정전기력을 인가하지 않은 상태에서 상기 억셉터층에 잔존하는 유기용매를 완전히 증발시키는 억셉터층 증발단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 광활성층 열처리 단계는 5분 내지 15분 동안 상기 광활성층에 80℃ 내지 200℃의 열을 가하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 제1열처리단계는 5분 내지 15분 동안 상기 도너층에 80℃ 내지 200℃의 열을 가하고,
상기 제2열처리단계는 5분 내지 15분 동안 상기 억셉터층에 80℃ 내지 200℃의 열을 가하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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