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유기 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015135073
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 표면에서 전반사 및 광도파로 효과로 인해 손실되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 소자를 실현한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 기판 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극이 순차 적층되는 구조를 갖는 종래의 유기 발광 소자와는 달리, 기판과 제 1 전극 사이에 요철 형상의 미세 패턴을 갖는 나노 구조체를 형성하여, 전반사와 광 도파로 모드로 인해 손실되는 광을 기판 외부로 추출함으로써 외부 양자 효율이 향상된 유기 발광 소자를 실현할 수 있으며, 또한 시야각에 따른 광 추출 패턴과 색 변화를 개선할 수 있는 것이다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01.01) H05B 33/26 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자 1020080136593 (2008.12.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1029299-0000 (2011.04.07)
공개번호/일자 10-2010-0078354 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110418) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.30)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울특별시 관악구
2 김형준 대한민국 서울특별시 관악구
3 조환희 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0903626-20
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0003578-99
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0034861-38
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0211505-52
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0009562-83
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0087154-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0270087-09
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0270086-53
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0383702-44
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0697779-22
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0770117-75
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0877798-67
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0877800-72
15 등록결정서
Decision to grant
2011.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0147918-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과, 상기 기판 상에 열 또는 광 경화 공정으로 형성된 비주기성을 갖는 요철 형상의 유기물 미세 패턴을 갖는 나노 구조체와, 상기 나노 구조체 상에 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기물층과, 상기 유기물층 상에 형성된 제 2 전극 을 포함하는 유기 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 유기 발광 소자는, 상기 나노 구조체와 제 1 전극 사이에 상기 유기물 미세 패턴을 평탄화시키는 평탄화층 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 평탄화층은, 상기 나노 구조체의 굴절률과 다른 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 미세 패턴은, 원형 또는 다각형 모양의 기둥 형상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 기둥 형상의 측벽 기울기는, 35 내지 90°의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
10 10
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 미세 패턴은, 패턴의 크기가 일정하고, 패턴간의 간격이 다른 형상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
11 11
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 미세 패턴은, 패턴 중심간의 거리가 일정하고, 패턴의 크기가 다른 형상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
12 12
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 미세 패턴은, 패턴간의 간격과 그 크기가 각각 다른 형상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
13 13
기판 상에 비주기적인 위치 또는 서로 다른 크기를 갖는 유기물의 나노 구조체를 열 또는 광 경화 공정으로 형성하는 과정과, 상기 나노 구조체 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제2전극을 순차 형성하는 과정 을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
14 14
기판 상에 열 또는 광 경화성의 유기물로 된 나노 구조 물질을 형성하는 과정과, 비주기성을 갖는 요철 형상의 나노 패턴이 형성된 몰드의 패턴면을 상기 나노 구조 물질에 가압 접촉시켜 상기 나노 구조 물질을 나노 구조체 형상으로 변형시키는 과정과, 상기 기판으로부터 상기 몰드를 분리시킴으로써, 비주기성을 갖는 요철 형상의 미세 패턴을 갖는 나노 구조체를 형성하는 과정과, 상기 나노 구조체 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 과정 을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 제조 방법은, 상기 나노 구조체를 형성한 후 상기 미세 패턴을 평탄화시키는 평탄화층을 형성하는 과정 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 평탄화층은, 스퍼터링법, 증착법, 증착 중합법, 전자 빔 증착법, 플라즈마 증착법, 화화기상 증착법, 졸젤법, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 오프셋 인쇄법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 평탄화층은, 상기 나노 구조체의 굴절률과 다른 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
18 18
삭제
19 19
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20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
제 14 항에 있어서, 상기 나노 구조 물질은, 스핀 코팅법, 진공 증착법, 도포법, 잉크젯법, 오프셋 인쇄법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
23 23
삭제
24 24
제 14 항에 있어서, 상기 나노 구조체에 형성된 미세 패턴은, 원형 또는 다각형 모양의 기둥 형상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
25 25
제 24 항에 있어서, 상기 기둥 형상의 측벽 기울기는, 35 내지 90°의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법
26 26
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27 27
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28 28
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29 29
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30 30
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31 31
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32 32
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33 33
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34 34
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35 35
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36 36
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37 37
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38 38
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39 39
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40 40
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42 42
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43 43
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44 44
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08692237 US 미국 FAMILY
2 US20110266577 US 미국 FAMILY
3 WO2010077070 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2010077070 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2011266577 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8692237 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2010077070 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2010077070 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 나노메카트로닉스기술개발사업 나노 임프린트 공정 기술