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금속 나노와이어를 구비한 다층 투명 전극 소자

  • 기술번호 : KST2015008430
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전극 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 투명 유연 기판의 상면에 형성된 하부 투명 전극층, 하부 투명 전극층의 상면에 형성된 금속 나노와이어 층 및 금속 나노와이어 층의 상면에 형성된 상부 투명 전극층을 구비하여 투명 유연 기판과 금속 나노와이어 층의 접착성을 향상시키고 금속 나노와이어 층의 표면 거칠기를 완화시켜 균일도 높은 소자에 적용 가능한 투명 전극 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130029379 (2013.03.19)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1391510-0000 (2014.04.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.19)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구
2 이주현 대한민국 경기 성남시 분당구
3 신현수 대한민국 서울 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0237946-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0106066-50
4 등록결정서
Decision to grant
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0127601-42
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
1 1
투명 유연 기판; 및상기 투명 유연 기판의 상면에 스퍼터링 방식으로 증착 형성되는 하부 투명 전극층과, 상기 하부 투명 전극층의 상면에 코팅 방식으로 코팅 형성되는 금속 나노와이어 층과, 상기 금속 나노와이어 층의 상면에 스퍼터링 방식으로 증착 형성되는 상부 투명 전극층을 구비하여 형성된 다층 투명 전극층을 포함하며상기 상부 투명 전극층은 상기 금속 나노와이어 층의 수직화를 방지하는 대향 타겟 스퍼터링 장치를 통해 스퍼터링 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 나노와이어 층은 스핀 코팅 또는 브러쉬 코팅 방식을 통해 코팅 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 금속 나노와이어 층은 Ag, Cr, Ti, Cu, Au, Ni, Al, Mo 중 어느 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 하부 투명 전극층 또는 상부 투명 전극층은 ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO 중 어느 하나로 적용되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 투명 전극층은 20~40nm두께로 형성되며, 상기 금속 나노와이어 층은 30~100nm의 두께로 형성되며, 상기 상부 투명 전극층는 20~40nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 대향 타겟 스퍼터링 장치는내부 공간에 진공압이 형성되고, 증착 대상 기판이 내부 공간에 배치되도록 형성되는 스퍼터링 챔버;상기 스퍼터링 챔버 내에 장착되어 서로 대향하도록 이격되게 배치되고, 서로 대향하는 면에는 각각 음극 전원에 연결되도록 스퍼터링 타겟 물질이 배치되며, 대향하는 사이 공간이 상기 증착 대상 기판과 이격되게 배치되는 제 1 및 제 2 스퍼터링 건;상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건의 사이 공간에 자기장이 형성되도록 상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건에 각각 장착되는 제 1 및 제 2 마그네트; 및상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건의 사이 공간으로 반응 가스가 유입되어 플라즈마가 형성되도록 상기 스퍼터링 챔버에 관통 삽입되는 가스 공급관을 포함하고, 상기 플라즈마는 상기 제 1 및 제 2 마그네트에 의해 형성된 자기장에 의해 상기 제 1 및 제 2 스퍼터링 건의 사이 공간에 구속되며, 상기 플라즈마에 의해 상기 스퍼터링 타겟 물질의 원자가 방출되어 상기 투명 유연기판에 증착되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자
7 7
투명 유연기판의 상면에 하부 투명 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 투명 전극층의 상면에 용액 공정으로 은 나노와이어 코팅액을 코팅한 후 건조시켜 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계;상기 금속 나노와이어 층이 형성된 상기 투명 기판을 스퍼터링 챔버에 장착시킨 후, 상기 금속 나노와이어 층의 상면에 상부 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 상부 투명 전극층은 상기 금속 나노와이어 층의 수직화를 방지하는 대향 타겟 스퍼터링 방식으로 상기 금속 나노와이어 층의 상면에 스퍼터링 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층은 스핀 코팅 또는 브러쉬 코팅 방식을 통해 코팅 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 금속 나노와이어층은 Ag, Cr, Ti, Cu, Au, Ni, Al, Mo 중 어느 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 하부 투명 전극층 또는 상부 투명 전극층은 ITO, ZTO, IZO, IZTO, GZO, AZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO 중 어느 하나로 적용되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자의 제조 방법
11 11
제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 투명 전극층은 20~40nm두께로 형성되며, 상기 금속 나노와이어 층은 30~100nm의 두께로 형성되며, 상기 상부 투명 전극층는 20~40nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 투명 전극 소자의 제조 방법
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