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p형 반도체층;상기 반도체층 상에 마련된 부도체층; 및상기 부도체층 상에 마련된 그래핀층을 포함하는 그래핀을 포함하되,상기 반도체층과 그래핀층 사이에는 역방향 바이어스가 인가되고,상기 부도체층은 홀 터널링 에너지 배리어가 전자의 터널링 에너지 배리어보다 높은 재질로 형성되며,전자가 상기 부도체층을 투과(tunneling)하여 상기 그래핀층에서 발광되는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 에너지 밴드갭이 1
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제4항에 있어서,상기 반도체층은 AlAs, GaP, GaAs, GaN, SiC 및 금속 산화물 반도체 중 어느 하나를 재료로 하는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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n형 반도체층;상기 반도체층 상에 마련된 부도체층; 및상기 부도체층 상에 마련된 그래핀층을 포함하는 그래핀을 포함하되,상기 반도체층과 그래핀층 사이에는 순방향 바이어스가 인가되고,상기 부도체층은 홀 터널링 에너지 배리어가 전자 터널링 에너지 배리어보다 높은 재질로 형성되며,전자가 상기 부도체층을 투과(tunneling)하여 상기 그래핀층에서 발광되는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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제1항 또는 제7항에 있어서,상기 부도체층은 SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, SrTiO3, ZrO2, HfO2, HfSiO4, La2O3 및 Y2O3 중 어느 하나를 재료로 하는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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n형 반도체층;상기 반도체층 상에 마련된 부도체층; 및상기 부도체층 상에 마련된 그래핀층을 포함하는 그래핀을 포함하되,상기 반도체층과 그래핀층 사이에는 역방향 바이어스가 인가되고,상기 부도체층은 전자 터널링 에너지 배리어가 홀 터널링 에너지 배리어보다 높은 재질로 형성되며,홀이 상기 부도체층을 투과(tunneling)하여 상기 그래핀층에서 발광되는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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제7항 또는 제10항에 있어서,상기 부도체층은 질화물 계열을 재료로 하는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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제7항 또는 제10항에 있어서,상기 반도체층은 n형으로 도핑된 ITO로 구성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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제1항, 제7항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 부도체층은 5 ㎚ 내지 500 ㎚의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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금속층;상기 금속층 상에 마련된 부도체층; 및상기 부도체층 상에 마련된 그래핀층을 포함하되,상기 금속층과 그래핀층 사이에는 순방향 바이어스가 인가되고,상기 부도체층은 홀 터널링 에너지 배리어가 전자 터널링 에너지 배리어보다 높은 재질로 형성되며,전자가 상기 부도체층을 투과(tunneling)하여 상기 그래핀층에서 발광되는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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제16항에 있어서,상기 금속층은 일함수가 3
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제16항에 있어서,발광하는 빛의 파장의 크기는 상기 금속층의 일함수 크기에 비례하는 것을 특징으로 하는 그래핀 투과 발광 다이오드
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제16항에 있어서,상기 부도체층은 실리콘 산화물, 금속산화물, High K 비전도성 유전체 및 플라스틱 중 어느 하나를 재료로 하고,상기 High K 비전도성 유전체는 HfO2, ZrO2, TiO2 및 Ta2O5 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투과 발광 다이오드
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