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기판;상기 기판 상에 형성되며, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 및개별 화소를 형성하도록 빛을 방출하며, p형 전극 및 n형 전극을 구비하는 복수의 반도체 발광 소자들을 포함하고,상기 반도체 발광소자들 각각은,p형 전극 및 n형 전극 중 어느 하나가 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 오버랩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,상기 기판 위에 배치되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 소스 전극;환 형상 또는 환 형상에서 일부가 제거된 형상을 가지고, 상기 소스 전극을 에워싸는 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제2항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,상기 소스 및 드레인 전극 상에 배치되는 보호층; 및상기 보호층을 관통하여 상기 소스 전극과 상기 p형 전극 및 n형 전극 중 어느 하나를 전기적으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제3항에 있어서,p형 전극 및 n형 전극 중 어느 하나와 상기 소스 전극 및 상기 연결 전극은 서로 오버랩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제2항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제5항에 있어서,상기 반도체층은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 주석(Sn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제6항에 있어서,상기 소스 전극은 상기 p형 전극과 오버랩되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제5항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,상기 반도체층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 에치 스토퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제8항에 있어서,상기 에치 스토퍼의 형상은 환 형상이고, 상기 반도체층은 원형상인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제9항에 있어서,상기 게이트 전극의 형상은 원형상인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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박막트랜지스터 및 복수의 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법에 있어서,기판 상에 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계;상기 소스 전극과 오버랩되는 연결 전극을 형성하는 단계;상기 기판상에 배선 전극을 형성하는 단계; 및p형 전극 및 n형 전극을 포함하는 복수의 반도체 발광소자들을 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 전사하는 단계를 포함하고,상기 복수의 반도체 발광소자들 각각은,상기 p형 전극 및 n형 전극 중 어느 하나가 상기 소스 전극 및 연결 전극과 오버랩되도록 전사되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,상기 기판 위에 배치되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 소스 전극; 및환 형상 또는 환형상에서 일부가 제거된 형상을 가지고, 상기 소스 전극을 에워싸는 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 박막 트랜지스터가 n형 트랜지스터인 경우,상기 반도체 발광소자의 p형 전극이 상기 소스 전극과 오버랩되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법
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