| 1 |
1
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크층을 형성하는 단계;상기 성장 기판 상에 n-type 반도체층을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시키고, 상기 n-type 반도체층 상에 활성층 및 p-type 반도체층을 성장시켜, Ga-극성 발광 구조물 및 N-극성 발광 구조물을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 Ga-극성 발광 구조물을 선택적으로 식각하는 단계;상기 N-극성 발광 구조물의 상단에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 N-극성 발광 구조물의 하단에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 마스크층의 상기 윈도우 영역은 네거티브 타입(negative type)의 윈도우 패턴을 가지며,상기 윈도우 영역 상에서는 상기 Ga-극성 발광 구조물만 성장되도록 하고, 상기 돌출 영역 상에서는 상기 N-극성 발광 구조물만 성장되거나, 상기 Ga-극성 발광 구조물 및 상기 N-극성 발광 구조물이 혼재되어 성장되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 네거티브 타입(negative type)의 윈도우 패턴은 도트(dot) 형상, 다각형(polygon) 형상, 타원형(elliptical) 형상 또는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 돌출 영역 상에 형성된 상기 N-극성 발광 구조물은 네거티브 패턴(negative pattern)을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 상기 발광 구조물에 대하여 전류를 수직으로 인가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 상기 N-극성 발광 구조물의 각각에 개별적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 Ga-극성 발광 구조물을 선택적으로 식각하는 단계는,염화수소 가스(HCl gas)를 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 활성층은 단일 양자 우물 구조(single-quantum well) 또는 다중 양자 우물(MQW; multi-quantum well) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 활성층은 인듐 갈륨 질화물(InGaN; indium gallium nitride), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN; aluminium gallium nitride), 질화 갈륨(GaN; gallium nitride) 및 알루미늄 인듐 갈륨 질화물(AlInGaN; aluminum indium gallium nitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 성장 기판은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 및 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 마스크층은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 및 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 n-type 반도체층은 질화 갈륨(GaN; gallium nitride), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN; aluminium gallium nitride), 인듐 갈륨 질화물(InGaN; indium gallium nitride) 및 알루미늄 인듐 갈륨 질화물(AlInGaN; aluminum indium gallium nitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 p-type 반도체층은 질화 갈륨(GaN; gallium nitride), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN; aluminium gallium nitride), 인듐 갈륨 질화물(InGaN; indium gallium nitride), 인듐 질화물(InN; indium nitride), 알루미늄 질화물(AlN; aluminum nitride) 및 알루미늄 인듐 갈륨 질화물(AlInGaN; aluminum indium gallium nitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 14 |
14
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크층을 형성하는 단계;상기 성장 기판 상에 n-type 반도체층을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 n-type 반도체층 및 N-극성 n-type 반도체층을 포함하는 n-type 반도체층을 형성하는 단계;상기 Ga-극성 n-type 반도체층을 선택적으로 식각하는 단계;상기 N-극성 n-type 반도체층 상에 활성층 및 p-type 반도체층을 성장시켜, 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 발광 구조물의 상단에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 발광 구조물의 하단에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 마스크층의 상기 윈도우 영역은 네거티브 타입(negative type)의 윈도우 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 네거티브 타입(negative type)의 윈도우 패턴은 도트(dot) 형상, 다각형(polygon) 형상, 타원형(elliptical) 형상 또는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 16 |
16
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크층을 형성하는 단계;상기 성장 기판 상에 n-type 반도체층을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, Ga-극성 n-type 반도체층 및 N-극성 n-type 반도체층을 포함하는 n-type 반도체층을 형성하는 단계;상기 Ga-극성 n-type 반도체층을 선택적으로 식각하는 단계;상기 N-극성 n-type 반도체층을 측면 성장시키는 단계;상기 측면 성장된 N-극성 n-type 반도체층 상에 활성층 및 p-type 반도체층을 성장시켜, 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 발광 구조물의 상단에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 발광 구조물의 하단에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 마스크층의 상기 윈도우 영역은 네거티브 타입(negative type)의 윈도우 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서, 상기 네거티브 타입(negative type)의 윈도우 패턴은 도트(dot) 형상, 다각형(polygon) 형상, 타원형(elliptical) 형상 또는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
|
