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제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 기판의 후면을 플라즈마 처리하여 복수의 소수성 영역을 형성하는 플라즈마 처리 단계와, 상기 기판의 후면에 형성되고 상기 소수성 영역에 대응되는 위치에 비아 홀을 구비하는 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계 및상기 패시베이션막의 하면에 형성되며 상기 비아 홀을 통하여 상기 기판의 하면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하며,상기 플라즈마 처리 단계는 상기 소수성 영역에 대응되는 위치에 관통홀이 형성된 패턴닝 마스크를 상기 기판의 하면에 위치시킨 후 진행되며,상기 소수성 영역은 점 형상이 격자 패턴을 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 점 형상은 평면 형상이 원 또는 삼각형, 사각형, 육각형 형상 중의 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계는 산소 플라즈마 처리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 패시베이션층은 Al2O3막으로 형성하며, 원자막 증착법에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 비아 홀은 상기 소수성 영역에 대응되는 위치에 점 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 후면 전극은 도전성 물질을 포함하는 페이스트를 스크린 프린팅 방법으로 상기 패시베이션막의 하면에 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 도전성 물질은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에미터층 형성 단계 후에 상기 에미터층의 상부에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제10항에 있어서,상기 에미터층과 전기적으로 연결되며 상기 반사방지막 사이에 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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