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제 1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제 2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 기판의 후면에 점 형상의 컨택 패터닝을 형성하는 컨택 패터닝 형성 단계와,상기 컨택 패터닝을 포함하는 상기 기판의 후면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 기판의 후면에서 상기 컨택 패터닝 및 상기 컨택 패터닝의 표면에 형성된 상기 패시베이션막을 제거하여, 상기 기판의 후면에 형성되는 컨택 영역이 노출되도록 상기 패시베이션막에 비아홀을 형성하는 컨택 영역 노출 단계 및상기 패시베이션막의 하면에 형성되며 상기 컨택 영역을 통하여 상기 기판의 하면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 컨택 영역 패터닝 단계는 포토 리소 그라피 공정, 나노 임프린트 공정, 스크린 프린트 공정 또는 잉크젯 프린트 공정에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 컨택 패터닝은 평면 형상이 원 또는 삼각형, 사각형, 육각형 형상 중의 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 컨택 패터닝은 직경 또는 폭이 10 ∼ 150㎛이며, 두께가 10 ∼ 50㎛인 점 형상이 격자 형상으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션막 형성 단계는 50 ∼ 200℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 컨택 영역 노출 단계는 상기 패시베이션막을 포함하는 부분을 1 ∼ 20분 동안 아세톤, 에탄올 또는 메탄올에 디핑하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 후면 전극 형성 단계는 도전성 물질을 포함하는 페이스트를 스크린 프린팅 방법 또는 진공 증착법으로 상기 패시베이션막의 하면에 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 에미터층 형성 단계 후에,상기 에미터층의 상부에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 단계 및 상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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