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태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015009645
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로써, 제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와, 상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와, 상기 기판의 후면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와, 상기 패시베이션막의 후면에 ICP방식의 PECVD법에 의하여 실리콘계 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와, 상기 패시베이션막과 상기 배리어막을 제거하여 상기 기판의 후면을 노출하는 컨택 영역을 형성하는 컨택 영역 형성 단계 및 상기 배리어막의 후면에 형성되며 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01)
출원번호/일자 1020130064163 (2013.06.04)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1361476-0000 (2014.02.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0498382-57
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0066181-15
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0631090-63
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0718836-89
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.09.04 수리 (Accepted) 9-1-2013-0073866-06
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0721151-30
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1170939-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1170951-57
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
11 등록결정서
Decision to grant
2014.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0059935-57
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 기판의 후면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 패시베이션막의 후면에 ICP방식의 PECVD법에 의하여 실리콘계 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와,상기 패시베이션막과 상기 배리어막의 일부를 제거하여 상기 기판 후면의 컨택 영역을 노출시키는 컨택 영역 형성 단계 및 상기 배리어막의 후면에 형성되며 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하며,상기 배리어막 형상 단계는 SiNx막 형성을 위한 소스 가스와 함께 N2O 가스를 공급하여 SiON막을 배리어막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 SiON막은 SiNx막으로 형성되는 경우보다 작은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 배리어막은 SiON막과 SiNx막이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 패시베이션막은 Al2O3막이 5nm 내지 50nm의 두께로 형성하며, 원자막 증착법 또는 플라즈마 강화 화학기상증착법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 에미터층 형성 단계 후에 상기 에미터층의 상부에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 단계 및 상기 에미터층과 전기적으로 연결되며 상기 반사방지막의 상부에 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부(산업통상자원부) (주)엔씨디 에너지기술개발사업 고효율 태양전지를 위한 선택적 증착 후면 패시베이션 공정 및 장비 개발