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성분 조성이 다른 복수의 CIGS 박막에 레이저를 조사하여 분광선을 얻는 단계,상기 분석 대상 원소의 분광선들 중 동일한 원소에 대한 제1 분광선과 제2 분광선을 선택하고 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도의 상관 관계 플롯을 얻는 단계,상기 상관 관계 플롯을 곡선 근사한 결과를 이용하여 상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도를 보정하는 단계,상기 제1 분광선의 보정된 강도와 상기 제2 분광선의 보정된 강도를 이용하여 선형 검량 곡선을 얻는 단계, 및분석 대상인 시료를 LIBS 분석하여 상기 선형 검량 곡선과 대비하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 정량분석 방법
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제1항에서,상기 제1 분광선과 상기 제2 분광선의 상위 에너지 준위는 동일한 CIGS 박막의 정량분석 방법
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제2항에서,상기 제1 분광선의 측정된 강도(J’1)와 보정된 강도(J1)의 관계는 수학식(1)로 표현되고,(1)상기 제2 분광선의 측정된 강도(J’2)와 보정된 강도(J2)의 관계는 수학식(2)로 표현되며,(2)C1과 C2의 비는 수학식(3)으로 표현되고, (3)(E1,l 과 E2,l 은 하위 에너지 준위)J1C1과 J2C2의 비는 수학식(4)로 표현되는 CIGS 박막의 정량분석 방법
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제3항에서,상기 제2 분광선의 측정된 강도(J’2)는 수학식(5)로 표현되는 CIGS 박막의 정량분석 방법
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제4항에서,상기 제1 분광선의 측정된 강도와 상기 제2 분광선의 측정된 강도를 보정하는 단계는,상기 수학식(5)를 이용하여 상기 상관 관계 플롯을 곡선 근사함으로써 상기 수학식(5)의 미지수를 구하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 정량분석 방법
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