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기재의 표면에 나노 입자를 배열하는 방법에 있어서,표면에 미세 구조 패턴이 형성된 기재를 준비하는 단계(S10);상기 미세 구조 패턴 상에 나노 입자를 포함하는 콜로이드 용액(colloidal soultion)을 공급하는 단계(S20);충격 부재를 사용하여 상기 콜로이드 용액이 공급된 기재의 표면을 반복적으로 두드려(tapping), 상기 콜로이드 용액 내 나노 입자를 상기 미세 구조 패턴에 도입하는 단계(S30); 및상기 기재의 표면에 잔류하는 콜로이드 용액을 제거하는 단계(S40);를 포함하는 충격 부재의 두드림을 통한 나노 입자의 배열 방법
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제1항에 있어서,상기 기재 준비 단계(S10)에서,상기 미세 구조 패턴은, 상기 기재 표면이 식각되어 형성된 것이거나 상기 기재 표면에 형성된 다른 물질이 패턴된 것임을 특징으로 하는 충격 부재의 두드림을 통한 나노 입자의 배열 방법
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제1항에 있어서,나노 입자의 도입 단계(S30)에서,상기 충격 부재로 상기 기재의 표면을 법선 방향으로 두드리는 것을 특징으로 하는 충격 부재의 두드림을 통한 나노 입자의 배열 방법
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제1항에 있어서,나노 입자의 도입 단계(S30)에서,상기 충격 부재로 두드리는 압력이 0
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제1항에 있어서,나노 입자의 도입 단계(S30)에서,상기 충격 부재로 두드리는 속도는 1 초당 0
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제1항에 있어서,상기 충격 부재는 다공성(porous) 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 충격 부재의 두드림을 통한 나노 입자의 배열 방법
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제1항에 있어서,상기 충격 부재는 우레탄계 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 충격 부재의 두드림을 통한 나노 입자의 배열 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 입자는 고분자 나노 입자, 실리카계 나노 입자 및 금속 나노 입자로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 충격 부재의 두드림을 통한 나노 입자의 배열 방법
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9
제1항에 있어서,상기 나노 입자는 폴리스티렌(polystyrene) 나노 입자, 실리카(silica) 나노 입자 및 금(gold) 나노 입자로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 충격 부재의 두드림을 통한 나노 입자의 배열 방법
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법으로 기재의 표면에 배열된 나노 입자 구조체
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11
나노전극(30)을 제조하는 방법(S100)에 있어서,a) 표면에 미세 구조 패턴(11)이 형성된 기재(10)를 준비하는 기재준비단계(S110);b) 습식 두드림 방법을 이용하여 나노입자(20)를 상기 미세 구조 패턴(11)에 도입하는 나노입자배열단계(S120); 및c) 나노입자 리소그래피 방법(Nano Lithography)을 이용하여 기재(10)를 식각하여 나노전극(30)을 형성하는 기재식각단계(S130);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 a) 기재준비단계(S110)에서,상기 미세 구조 패턴(11)은, 기재(10) 표면이 식각되어 형성된 것이거나, 기재(10) 표면에 형성된 다른 물질이 패턴된 것임을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 나노입자(20)는, 고분자 나노 입자, 실리카계 나노 입자 및 금속 나노 입자로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 나노입자(20)는, 폴리스티렌(polystyrene) 나노 입자, 실리카(silica) 나노 입자 및 금(gold) 나노 입자로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 b) 나노입자배열단계(S120)는:b-1) 기재(10)의 미세 구조 패턴(11) 상에 나노 입자(20)를 포함하는 콜로이드용액(colloidal solution, 21)을 공급하는 콜로이드용액 공급단계(S121);b-2) 충격부재(40)를 사용하여 콜로이드 용액(21)이 공급된 기재(10)의 표면을 반복적으로 두드려(tapping), 콜로이드 용액(21) 내 나노 입자(20)를 미세 구조 패턴(11)에 도입시키는 나노입자도입단계(S122); 및b-3) 상기 기재(10)의 표면에 잔류하는 콜로이드 용액(21)을 제거하는 잔류용액제거단계(S123);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 b-2) 나노입자도입단계(S122)에서,상기 충격부재(40)로 기재(10)의 표면을 기재(10)의 표면과 수직인 방향으로 두드리는 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 b-2) 나노입자도입단계(S122)에서,상기 충격부재(40)로 두드리는 압력은, 0
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제 15 항에 있어서,상기 b-2) 나노입자도입단계(S122)에서,상기 충격부재(40)로 두드리는 속도는 1 초당 0
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제 15 항에 있어서,상기 충격부재(40)는 다공성(porous) 물질로 이루어진 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 충격부재(40)는 우레탄계 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 나노전극 제조방법
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제 11 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 따른 나노전극 제조방법에 의해 제조된 나노전극(30)
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상기 제 21 항에 따른 나노전극(30)을 포함하는 미세전자기계시스템(MEMS; Microelectromechanical Systems)
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