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결정질실리콘 기판을 준비하는 단계;전해 증착(electrodeposition)을 위한 도금욕(bath)을 구성하는 단계;상기 도금욕을 이용하여 전해 증착공정으로 상기 실리콘 기판에 스트레스층을 형성하는 단계; 및상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판에 스트레스층을 형성하기에 앞서, 상기 결정질 실리콘 기판의 표면에 상기 결정질 실리콘 기판과 상기 스트레스층의 접착성을 향상시키기 위한 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 도금욕을 구성하는 단계에서, 상기 도금욕에 첨가물을 첨가하여 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 스트레스층을 형성하는 단계에서, 상기 전해 증착 공정의 전류밀도를 조절하여 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 스트레스층이 Ni, Co, Fe 중에 하나의 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 스트레스층이 Ni 금속박막이며, 상기 Ni 금속박막에 P가 첨가된 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 도금욕이 NiCl2와 H3BO3 및 H3PO3를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판에 버퍼층을 형성하는 단계;전해 증착을 위한 도금욕을 구성하는 단계;상기 도금욕을 이용하여 전해 증착공정으로 상기 버퍼층의 표면에 스트레스층을 형성하는 단계; 및상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함하며,상기 버퍼층에 잔류하는 응력이 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력보다 작은 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 버퍼층의 두께를 조절하여 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력이 상기 결정질 실리콘 기판에 미치는 깊이를 조절함으로써 상기 박리된 결정질 실리콘의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 도금욕을 구성하는 단계에서, 상기 도금욕에 첨가물을 첨가하여 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 스트레스층을 형성하는 단계에서, 상기 전해 증착 공정의 전류밀도를 조절하여 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 스트레스층이 Ni, Co, Fe 중에 하나의 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 스트레스층이 Ni 금속박막이며, 상기 Ni 금속박막에 P가 첨가된 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 도금욕이 NiCl2와 H3BO3 및 H3PO3를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계가 전해 증착 공정으로 수행되는 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 10에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판에 상기 버퍼층을 형성하기에 앞서, 상기 결정질 실리콘 기판의 표면에 상기 결정질 실리콘 기판과 상기 버퍼층의 접착성을 향상시키기 위한 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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