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전기화학반응을 이용한 탄소 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2014041931
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기화학반응을 이용한 탄소 패턴 형성방법을 제공한다. 먼저, 기판 상에 탄소막을 형성한다. 상기 탄소막 상에 마스크 패턴을 형성한다. 상기 마스크 패턴 내에 노출된 탄소막을 전기화학적으로 산화시켜 탄소 패턴을 형성한다. 이와 같이, 전기화학적 식각법을 사용하여 탄소 패턴을 형성하는 경우 비교적 간단한 제조공정을 사용하여 높은 해상도와 우수한 재현성을 가진 탄소 패턴을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01)
CPC H01L 21/3063(2013.01) H01L 21/3063(2013.01) H01L 21/3063(2013.01) H01L 21/3063(2013.01)
출원번호/일자 1020090052231 (2009.06.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1087829-0000 (2011.11.22)
공개번호/일자 10-2010-0133600 (2010.12.22) 문서열기
공고번호/일자 (20111130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성기훈 대한민국 경기도 고양시 일산서구
2 한귀남 대한민국 경기도 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0355766-94
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0046275-13
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0219334-86
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0219314-73
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0632462-90
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 결정성 탄소막을 형성하는 단계; 상기 결정성 탄소막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴 내에 노출된 결정성 탄소막을 전기화학적으로 산화시켜 탄소 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 탄소 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 결정성 탄소막을 전기화학적으로 산화시키는 것은 상대전극이 있는 전해액 내에서 상기 결정성 탄소막을 작업전극으로 사용하여 상기 결정성 탄소막에 양의 전압을 인가하여 수행하는 탄소 패턴 형성방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 전해액은 중성용액인 탄소 패턴 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 결정성 탄소막은 탄소나노튜브막 또는 그라핀막인 탄소 패턴 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 탄소패턴 상의 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 마스크 패턴이 제거된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 탄소 패턴 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정부출연기관 정부출연기관((재)한국산업기술재단) 산학협력중심대학육성사업(기술개발과제사업) 탄소나노튜브 투명 전극의 미세 패터닝 기술 개발