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저전력 및 저면적의 비휘발성 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015016894
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전력 및 저면적의 비휘발성 메모리 장치에 대하여 개시된다. 비휘발성 메모리 장치는, 메모리 셀 어레이, 분리된 데이터 입/출력 포트, 비트라인 감지 증폭기, 그리고 DC-DC 변환기를 포함한다. 메모리 셀 어레이는 행들 및 열들로 복수개의 비휘발성 메모리 셀들이 배열되고, 데이터 입력 포트는 비휘발성 메모리 셀로 기입할 데이터를 수신한다. 비트라인 감지 증폭기는 비휘발성 메모리 셀의 데이터를 감지하여 데이터 출력 포트로 출력한다. DC-DC 변환기는 비휘발성 메모리 셀로 기입 데이터를 프로그래밍하기 위한 제1 및 제2 승압 전압들을 발생하되, 직렬 연결되는 다수개의 쇼트키 다이오드과 펌핑 다이오드들로 구성되는 딕슨 전하 펌프 회로를 이용하여 제1 및 제2 승압 전압들을 발생한다. 비휘발성 메모리 장치, 비트라인 감지 증폭기, 딕슨 전하 펌프, 쇼트키 다이오드, 전원 스위칭 회로
Int. CL G11C 16/00 (2006.01)
CPC G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01)
출원번호/일자 1020070112421 (2007.11.06)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0909838-0000 (2009.07.22)
공개번호/일자 10-2009-0046340 (2009.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시
2 이재형 대한민국 부산광역시 부산진구
3 송성영 대한민국 경남 창원시
4 김종희 대한민국 경남 마산시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0794806-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0052673-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0133818-76
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0259429-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0259430-39
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0246634-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
행들 및 열들로 복수개의 비휘발성 메모리 셀들이 배열되는 메모리 셀 어레이; 상기 비휘발성 메모리 셀로 기입할 데이터를 수신하는 데이터 입력 포트; 상기 비휘발성 메모리 셀의 데이터를 감지하여 데이터 출력 포트로 출력하는 비트라인 감지 증폭기; 및 상기 비휘발성 메모리 셀로 상기 기입 데이터를 프로그래밍하기 위한 제1 및 제2 승압 전압들을 발생하되, 직렬 연결되는 다수개의 쇼트키 다이오드과 펌핑 다이오드들로 구성되는 딕슨 전하 펌프 회로를 이용하여 상기 제1 및 제2 승압 전압들을 발생하는 DC-DC 변환기를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 비트라인 감지 증폭기는 프리차아지 신호를 입력하는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력에 응답하여 상기 비휘발성 메모리 셀의 데이터가 전달되는 데이터 라인을 전원 전압 레벨로 프리차아지시키는 제1 피모스 트랜지스터; 데이터 라인 로드 신호에 응답하여 상기 데이터 라인을 상기 전원 전압 레벨로 구동하는 제2 피모스 트랜지스터; 센싱 인에이블 신호에 응답하여 상기 데이터 라인의 데이터를 반전시키는 클럭드 인버터; 및 상기 클럭드 인버터의 출력을 래치하여 상기 데이터 출력 포트로 출력하는 래치를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 클럭드 인버터는 상기 센싱 인에이블 신호를 입력하는 제2 인버터; 상기 전원 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 데이터 라인이 그 게이트에 연결되는 제3 피모스 트랜지스터; 상기 제3 인버터의 드레인이 그 소스에 연결되고, 상기 센싱 인에이블 신호가 그 게이트에 연결되고, 그 드레인이 상기 클럭드 인버터의 출력이 되는 제4 피모스 트랜지스터; 상기 제2 인버터의 출력이 그 게이트에 연결되고, 상기 제4 피모스 트랜지스터의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제1 엔모스 트랜지스터; 및 접지 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 데이터 라인이 그 게이트에 연결되고, 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 소스가 그 드레인에 연결되는 제2 엔모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
4 4
제1항에 있어서, DC-DC 변환기는 기준 전압을 발생하는 밴드갭 기준 전압 발생기; 상기 기준 전압과 상기 제1 승압 전압을 비교하는 승압 전압 레벨 검출기; 상기 승압 전압 레벨 검출기의 출력에 응답하여 발진 신호를 출력하는 링 발진기 상기 링 발진기의 출력에 응답하여 제1 및 제2 클럭 신호들을 발생하는 승압 전압 제어 로직부; 전원 전압을 입력하고, 상기 제1 및 제2 클럭 신호들에 응답하는 제1 및 제2 단위 전하 펌프부들이 다수개 직렬 연결되고, 제1 및 제2 노드 전압들과 상기 제1 승압 전압을 발생하는 전하 펌프부; 및 상기 제1 노드 전압 또는 상기 제2 노드 전압을 상기 제2 승압 전압으로 발생하는 전원 스위칭 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 단위 전하 펌프부는 상기 전원 전압을 입력하는 제1 다이오드; 상기 제1 다이오드의 출력을 입력하는 제2 다이오드; 상기 제1 다이오드의 출력과 반전된 상기 제1 클럭 신호 사이에 연결되는 제1 펌핑 커패시터; 및 상기 제2 다이오드의 출력과 상기 제1 클럭 신호 사이에 제2 펌핑 커패시터를 구비하고, 상기 제2 단위 전하 펌프부는 상기 전원 전압을 입력하는 제3 다이오드; 상기 제3 다이오드의 출력을 입력하는 제4 다이오드; 상기 제3 다이오드의 출력과 상기 제2 클럭 신호 사이에 연결되는 제3 펌핑 커패시터; 및 상기 제4 다이오드의 출력과 반전된 상기 제2 클럭 신호 사이에 제4 펌핑 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
6 6
제4항에 있어서, 상기 전원 스위칭 회로는 상기 제1 승압 전압에 의해 구동되고, 프로그래밍 제어 신호에 응답하여 프로그래밍 전원 선택 신호를 발생하는 프로그래밍 전원 선택 신호 발생부; 상기 제1 승압 전압에 의해 구동되고, 지우기 제어 신호에 응답하여 지우기 전원 선택 신호를 발생하는 지우기 전원 선택 신호 발생부; 상기 프로그래밍 전원 선택 신호에 응답하여 상기 제1 노드 전압을 상기 제2 승압 전압으로 전달하는 제1 스위칭부; 및 상기 지우기 전원 선택 신호에 응답하여 상기 제2 노드 전압을 상기 제2 승압 전압으로 전달하는 제2 스위칭부를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 프로그래밍 전원 선택 신호 발생부는 상기 프로그래밍 제어 신호가 그 게이트에 연결되고, 접지 전압이 그 소스에 연결되는 제1 엔모스 트랜지스터; 상기 프로그래밍 제어 신호를 입력하는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력이 그 게이트에 연결되고, 상기 접지 전압이 그 소스에 연결되는 제2 엔모스 트랜지스터; 상기 제1 승압 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 제2 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 게이트에 연결되고, 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제1 피모스 트랜지스터; 상기 제1 승압 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 게이트에 연결되고, 상기 제2 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제2 피모스 트랜지스터; 및 상기 제2 피모스 트랜지스터의 드레인이 그 입력으로 연결되어 상기 프로그래밍 전원 선택 신호를 출력하는 제2 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
8 8
제6항에 있어서, 상기 지우기 전원 선택 신호 발생부는 상기 지우기 제어 신호가 그 게이트에 연결되고, 접지 전압이 그 소스에 연결되는 제1 엔모스 트랜지스터; 상기 지우기 제어 신호를 입력하는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력이 그 게이트에 연결되고, 상기 접지 전압이 그 소스에 연결되는 제2 엔모스 트랜지스터; 상기 제1 승압 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 제2 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 게이트에 연결되고, 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제1 피모스 트랜지스터; 상기 제1 승압 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 게이트에 연결되고, 상기 제2 엔모스 트랜지스터의 드레인이 그 드레인에 연결되는 제2 피모스 트랜지스터; 및 상기 제2 피모스 트랜지스터의 드레인이 그 입력으로 연결되어 상기 지우기 전원 선택 신호를 출력하는 제2 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
9 9
제6항에 있어서, 상기 제1 스위칭부는 상기 제1 노드 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 프로그래밍 전원 선택 신호가 그 게이트에 연결되고, 상기 제2 승압 전압이 그 드레인에 연결되는 제1 피모스 트랜지스터; 상기 프로그래밍 전원 선택 신호가 그 소스에 연결되고, 상기 제2 승압 전압이 그 게이트에 연결되고, 상기 제1 노드 전압이 드레인에 연결되는 제2 피모스 트랜지스터; 및 상기 프로그래밍 전원 선택 신호가 그 소스에 연결되고, 상기 제1 노드 전압이 그 게이트에 연결되고, 상기 제2 승압 전압이 드레인에 연결되는 제3 피모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
10 10
제6항에 있어서, 상기 제2 스위칭부는 상기 제2 노드 전압이 그 소스에 연결되고, 상기 지우기 전원 선택 신호가 그 게이트에 연결되고, 상기 제2 승압 전압이 그 드레인에 연결되는 제1 피모스 트랜지스터; 상기 지우기 전원 선택 신호가 그 소스에 연결되고, 상기 제2 승압 전압이 그 게이트에 연결되고, 상기 제2 노드 전압이 드레인에 연결되는 제2 피모스 트랜지스터; 및 상기 지우기 전원 선택 신호가 그 소스에 연결되고, 상기 제2 노드 전압이 그 게이트에 연결되고, 상기 제2 승압 전압이 드레인에 연결되는 제3 피모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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