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게이트라인 구동용 하이전압발생기 및 로우전압발생기

  • 기술번호 : KST2015016893
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초기 동작 시 부스트랩 노드의 전압 값들을 동일한 전압준위를 가지게 하고, 대기모드 진입 시 부스트랩 노드에 과전압을 방지하는 복수 개의 단위전하펌프들로 구현되며, TFT-LCD 픽셀의 게이트라인(Gate Line)의 구동전압으로 사용되는 게이트라인 구동용 하이전압발생기 및 로우전압발생기를 개시한다. 상기 게이트라인 구동용 하이전압발생기는 VGH 레벨감지기, VGH 링 발진기, VGH 제어클럭 발생회로, VGH 펌핑회로 및 VGH 프리차지회로를 구비한다. 상기 게이트라인 구동용 로우전압발생기는 VGL 레벨감지기, VGL 링 발진기, VGL 제어클럭 발생회로(1530), VGL 펌핑회로 및 VGL 프리차지회로를 구비한다. 게이트라인 구동, 하이전압발생기, 로우전압발생기
Int. CL G09G 3/20 (2006.01) G09G 3/36 (2006.01)
CPC G09G 3/3696(2013.01) G09G 3/3696(2013.01) G09G 3/3696(2013.01) G09G 3/3696(2013.01)
출원번호/일자 1020070081761 (2007.08.14)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0883791-0000 (2009.02.09)
공개번호/일자 10-2009-0017196 (2009.02.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시
2 임규호 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0588169-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2008-0024189-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0363080-26
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0625861-00
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0625859-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0613615-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
피드백 된 게이트라인 하이전압(VGH)의 전압준위를 감지하여 이에 대응되는 발진제어신호(OSC_ENb)를 생성하는 VGH 레벨감지기(1410); 상기 발진제어신호에 응답하여 발진신호(VGH_OSC)를 생성하는 VGH 링 발진기(1420); 상기 발진신호에 응답하여 복수 개의 제어클럭신호들을 생성하는 VGH 제어클럭 발생회로(1430); 상기 복수 개의 제어클럭신호에 응답하여 기준전압(VCI)을 펌핑하는 VGH 펌핑회로(1440); 및 출력단자를 프리차지 시키는 VGH 프리차지회로(1450)를 구비하며, 상기 VGH 펌핑회로(1440)는, 제1제어클럭신호, 제2제어클럭신호, 제3제어클럭신호 및 제4제어클럭신호에 응답하여 상기 기준전압(VCI)을 펌핑하는 제1단위전하펌프; 상기 제2제어클럭신호 및 상기 제3제어클럭신호에 응답하여 상기 제1단위전하펌프로부터 출력되는 전압을 펌핑하는 제2단위전하펌프; 및 상기 제2제어클럭신호 및 상기 제3제어클럭신호에 응답하여 제(N-1)(N은 2이상의 정수)단위전하펌프로부터 출력되는 전압을 펌핑하는 제N단위전하펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 하이전압발생기
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1제어클럭신호 및 상기 제2제어클럭신호의 위상이 서로 반대되는 2 페이즈 신호이며, 상기 제3제어클럭신호 및 상기 제4제어클럭신호의 위상이 서로 반대되는 2 페이즈 신호이며, 상기 제1제어클럭신호 및 상기 제3제어클럭신호의 위상은 동일한 것을 특징으로 하는 하이전압발생기
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1단위전하펌프는, 입력단자(IN)로부터 인가되는 입력전압(VIN)을 제1부스트랩 노드(N1)로 스위칭하는 제1NMOS 전하전달 트랜지스터(MN1); 상기 입력전압(VIN)을 제2부스트랩 노드(N2)로 스위칭하는 제2NMOS 전하전달 트랜지스터(MN2); 상기 제1부스트랩 노드의 전압을 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제1PMOS 전하전달 트랜지스터(MP1); 상기 제2부스트랩 노드의 전압을 상기 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제2PMOS 전하전달 트랜지스터(MP2); 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트에 프리차지 제어신호를 인가하는 프리차지 제어부(410, 420); 상기 제1PMOS 전하전달 트랜지스터의 벌크에 제1벌크바이어스를 공급하고 상기 제2PMOS 전하전달 트랜지스터의 벌크에 제2벌크바이어스를 공급하는 벌크바이어스공급부(430, 440); 상기 제1제어클럭신호 내지 상기 제4제어클럭신호에 응답하여 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 제1부스트랩 노드 및 상기 제2부스트랩 노드에 펌핑 되는 전하를 저장하는 펌핑 전하 저장부(C0 ~ C3); 및 일 단자가 상기 제1부스트랩 노드에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제2부스트랩 노드에 연결된 부스트랩 노드 과전압 방지부(450)를 구비하며, 상기 제1PMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2PMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트는 크로스 커플링(Cross Coupled)되는 것을 특징으로 하는 하이전압발생기
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2단위전하펌프 내지 상기 제N단위전하펌프는, 입력단자(IN)로부터 인가되는 입력전압(VIN)을 제1부스트랩 노드(N1)로 스위칭하는 제1NMOS 전하전달 트랜지스터(MN1); 상기 입력전압(VIN)을 제2부스트랩 노드(N2)로 스위칭하는 제2NMOS 전하전달 트랜지스터(MN2); 상기 제1부스트랩 노드의 전압을 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제1PMOS 전하전달 트랜지스터(MP1); 상기 제2부스트랩 노드의 전압을 상기 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제2PMOS 전하전달 트랜지스터(MP2); 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터, 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터, 상기 제1PMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2PMOS 전하전달 트랜지스터의 벌크에 각각 제1벌크바이어스, 제2벌크바이어스, 제3벌크바이어스 및 제4벌크바이어스를 각각 공급하는 벌크바이어스공급부(610 ~ 640); 복수 개의 제어클럭신호에 응답하여 상기 제1부스트랩 노드 및 상기 제2부스트랩 노드에 펌핑 되는 전하를 저장하는 펌핑 전하 저장부(C1, C2); 일 단자가 상기 제1부스트랩 노드에 연결되고 다른 일 단자가 제2부스트랩 노드에 연결된 부스트랩 노드 프리차지부(650); 및 일 단자가 상기 제1부스트랩 노드에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제2부스트랩 노드에 연결된 부스트랩 노드 과전압 방지부(660)를 구비하며, 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트는 크로스 커플링 되고, 상기 제1PMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2PMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트는 크로스 커플링되는 것을 특징으로 하는 하이전압발생기
6 6
피드백 된 게이트라인 로우전압(VGL)의 전압준위를 감지하여 이에 대응되는 발진제어신호(OSC_ENb)를 생성하는 VGL 레벨감지기(1510); 상기 발진제어신호에 응답하여 발진신호(VGH_OSC)를 생성하는 VGL 링 발진기(1520); 상기 발진신호에 응답하여 복수 개의 제어클럭신호들을 생성하는 VGL 제어클럭 발생회로(1530); 상기 복수 개의 제어클럭신호에 응답하여 기준전압(DGND)을 펌핑하는 VGL 펌핑회로(1540); 및 출력단자를 프리차지 시키는 VGL 프리차지회로(1550)를 구비하며, 상기 VGL 펌핑회로(1540)는, 제1제어클럭신호, 제2제어클럭신호, 제3제어클럭신호 및 제4제어클럭신호에 응답하여 상기 기준전압(DGND)을 펌핑하는 제1단위전하펌프; 상기 제2제어클럭신호 및 상기 제3제어클럭신호에 응답하여 상기 제1단위전하펌프로부터 출력되는 전압을 펌핑하는 제2단위전하펌프; 및 상기 제2제어클럭신호 및 상기 제3제어클럭신호에 응답하여 제(N-1)(N은 2 이상의 정수)단위전하펌프로부터 출력되는 전압을 펌핑하는 제N단위전하펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 로우전압발생기
7 7
삭제
8 8
제6항에 있어서, 상기 제1제어클럭신호 및 상기 제2제어클럭신호의 위상이 서로 반대되는 2 페이즈 신호이며, 상기 제3제어클럭신호 및 상기 제4제어클럭신호의 위상이 서로 반대되는 2 페이즈 신호이며, 상기 제1제어클럭신호 및 상기 제3제어클럭신호의 위상은 동일한 것을 특징으로 하는 로우전압발생기
9 9
제6항에 있어서, 상기 제1단위전하펌프는, 입력단자(IN)로부터 인가되는 입력전압(VIN)을 제1부스트랩 노드(N1)로 스위칭하는 제1PMOS 전하전달 트랜지스터(MP1); 상기 입력전압(VIN)을 제2부스트랩 노드(N2)로 스위칭하는 제2PMOS 전하전달 트랜지스터(MP2); 상기 제1부스트랩 노드의 전압을 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제1NMOS 전하전달 트랜지스터(MN1); 상기 제2부스트랩 노드의 전압을 상기 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제2NMOS 전하전달 트랜지스터(MN2); 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트에 프리차지 제어신호를 인가하는 프리차지 제어부(1010, 1020); 상기 제1PMOS 전하전달 트랜지스터의 벌크에 제1벌크바이어스를 공급하고 상기 제2PMOS 전하전달 트랜지스터의 벌크에 제2벌크바이어스를 공급하는 벌크바이어스공급부(1030, 1040); 복수 개의 제어클럭신호에 응답하여 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 제1부스트랩 노드 및 상기 제2부스트랩 노드에 펌핑 되는 전하를 저장하는 펌핑 전하 저장부(C0 ~ C3); 및 일 단자가 상기 제1부스트랩 노드에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제2부스트랩 노드에 연결된 부스트랩 노드 과전압 방지부(1050)를 구비하며, 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트는 크로스 커플링 되는 것을 특징으로 하는 로우전압발생기
10 10
제6항에 있어서, 상기 제2단위전하펌프 내지 상기 제N단위전하펌프는, 입력단자(IN)로부터 인가되는 입력전압(VIN)을 제1부스트랩 노드(N1)로 스위칭하는 제1PMOS 전하전달 트랜지스터(MP1); 상기 입력전압(VIN)을 제2부스트랩 노드(N2)로 스위칭하는 제2PMOS 전하전달 트랜지스터(MP2); 상기 제1부스트랩 노드의 전압을 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제1NMOS 전하전달 트랜지스터(MN1); 상기 제2부스트랩 노드의 전압을 상기 출력단자(OUT)로 스위칭하는 제2NMOS 전하전달 트랜지스터(MN2); 상기 제1PMOS 전하전달 트랜지스터, 상기 제2PMOS 전하전달 트랜지스터, 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 벌크에 각각 제1벌크바이어스, 제2벌크바이어스, 제3벌크바이어스 및 제4벌크바이어스를 각각 공급하는 벌크바이어스공급부(1210 ~ 1240); 복수 개의 제어클럭신호에 응답하여 상기 제1부스트랩 노드 및 상기 제2부스트랩 노드에 펌핑 되는 전하를 저장하는 펌핑 전하 저장부(C1, C2); 일 단자가 상기 제1부스트랩 노드에 연결되고 다른 일 단자가 제2부스트랩 노드에 연결된 부스트랩 노드 프리차지부(1250); 및 일 단자가 상기 제1부스트랩 노드에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제2부스트랩 노드에 연결된 부스트랩 노드 과전압 방지부(1260)를 구비하며, 상기 제1PMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2PMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트는 크로스 커플링 되고, 상기 제1NMOS 전하전달 트랜지스터 및 상기 제2NMOS 전하전달 트랜지스터의 게이트는 크로스 커플링 되는 것을 특징으로 하는 로우전압발생기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.