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저전압 밴드갭 기준전압 발생기

  • 기술번호 : KST2015016895
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전압 밴드갭 기준전압 발생기에 관한 것으로서, 차동증폭기의 입력단에 전압을 인가하는 구동전압 전달부 및 차동증폭입력부를 구비하는 연산증폭부; 반도체 제조 공정에서 기생하는 복수의 바이폴러 트랜지스터 Q0,Q1을 사용하며, 상기 차동증폭입력부에서 출력된 바이어스전압(VBASN)을 인가 받아, 일정한 크기를 갖는 정전류를 생성한 후 기준전압발생부에게 상기 정전류를 흘려보내는 전류분배부; 및 상기 전류분배부에서 생성된 상기 정전류를 인가받아, 기준전압출력노드(N2)로 공급하는 전류공급부 및 상기 전류공급부로부터 인가 받은 상기 정전류에 의해 일정한 값을 갖는 기준전압을 출력시키는 기준전압출력부를 구비하는 기준전압발생부를 포함하는 회로를 제공함으로써, 최소 1.0V의 구동전압에서 작동하며, PVT 변동에 둔감한 안정적인 저전압의 밴드갭 기준전압을 제공하는 기술적 효과가 있다. 밴드갭 기준전압 발생기, PVT, 저전압
Int. CL G05F 3/24 (2006.01)
CPC G05F 3/205(2013.01) G05F 3/205(2013.01) G05F 3/205(2013.01)
출원번호/일자 1020070126021 (2007.12.06)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0929533-0000 (2009.11.25)
공개번호/일자 10-2009-0059268 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20091203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.06)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시
2 심외용 대한민국 경남 마산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0878045-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022265-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0309588-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0579236-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0579222-66
7 등록결정서
Decision to grant
2009.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0474408-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
11 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
18 출원인정보변경(경정)신고서
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2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
20 출원인정보변경(경정)신고서
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2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
차동증폭기의 입력단에 전압을 인가하는 구동전압 전달부 및 차동증폭입력부를 구비하는 연산증폭부; 상기 차동증폭입력부에서 출력된 바이어스전압(VBASN)을 인가 받아, 일정한 크기를 갖는 정전류를 생성한 후 기준전압발생부에게 상기 정전류를 흘려보내는 전류분배부; 및 상기 전류분배부에서 생성된 상기 정전류를 인가 받아, 기준전압출력노드(N2)로 공급하는 전류공급부 및 상기 전류공급부로부터 인가 받은 상기 정전류에 의해 일정한 값을 갖는 기준전압을 출력시키는 기준전압출력부를 구비하는 기준전압발생부를 포함하되, 상기 전류분배부는 반도체 제조 공정에서 기생하는 제1 바이폴러 트랜지스터 Q0 및 제2 바이폴러 트랜지스터 Q1을 구비하며, 상기 전류분배부는 상기 제1 바이폴러 트랜지스터 Q0의 컬렉터 단자와 에미터 단자를 병렬로 연결하는 제1 가변저항, 상기 제2 바이폴러 트랜지스터 Q1의 컬렉터 단자와 직렬연결 된 제2 가변저항 및 구동전압과 상기 제2 가변저항을 연결하는 단자 및 상기 제2 바이폴러 트랜지스터 Q1의 에미터 단자를 병렬로 연결하는 제3 가변저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 바이폴러 트랜지스터 Q0 및 상기 제2 바이폴러 트랜지스터 Q1은 트리플 웰(Triple well) 공정에서 기생하는 바이폴러 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 바이폴러 트랜지스터 Q0 및 상기 제2 바이폴러 트랜지스터 Q1은 NPN 바이폴러 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 바이폴러 트랜지스터 Q0, 상기 제2 바이폴러 트랜지스터 Q1의 에미터 단면적의 비는 1:N(자연수)인 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 바이폴러 트랜지스터 Q0, 상기 제2 바이폴러 트랜지스터 Q1의 에미터 단면적의 비가 1:10인 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
8 8
제1항에 있어서, 상기 전류분배부는 상기 Q0의 에미터 단자와 연결된 제1 MOS 트랜지스터와 상기 Q1의 에미터 단자와 연결된 제2 MOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
9 9
제1항에 있어서, 상기 구동전압 전달부는 2개의 MOS 트랜지스터를 구비하며, 상기 2개의 MOS 트랜지스터는 커런트 미러를 구현하도록 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
10 10
제1항에 있어서, 상기 연산증폭부는 상기 차동증폭입력부의 회로구성 내부의 전류원 회로에 바이어스 해 주는 셀프 바이어싱(self_biasing) 회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
11 11
제1항에 있어서, 상기 전류공급부는 2개의 PMOS 트랜지스터와 1개의 NMOS 트랜지스터를 구비하며, 상기 2개의 PMOS 트랜지스터와 1개의 NMOS 트랜지스터는 커런트 미러를 구현하도록 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
12 12
제1항에 있어서, 상기 기준전압발생부는 상기 전류분배부에서 생성된 정전류를 인가 받은 후 상기 전류공급부에 상기 정전류를 전달하는 전류전달부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
13 13
제12항에 있어서, 상기 전류전달부는 3개의 PMOS 트랜지스터와 2개의 NMOS 트랜지스터를 구비하며, 상기 3개의 PMOS 트랜지스터와 2개의 NMOS 트랜지스터는 캐스코드 커런트 미러를 구현하도록 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저전압 밴드갭 기준전압발생기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.