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광검출기 디바이스 및 그 제조방법{Photo-detector device and method manufacturing thereof}

  • 기술번호 : KST2015021793
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일형으로 도핑된 반도체 기판, 기판 위에 형성되어 입사광을 흡수하는 진성반도체물질층, 입사광의 적어도 일부가 진성반도체물질층에 직접적으로 입사되도록 진성반도체물질층 상의 일부에만 형성되고 기판과 다른 형으로 도핑된 상부반도체물질층, 상부반도체물질층 상에 소정 패턴으로 형성고 상부반도체물질층과 전기적으로 연결된 상부전극 및 기판과 전기적으로 연결된 하부전극을 포함하며 진성반도체물질층이 광이 입사되는 수광면의 적어도 일부를 이루도록 된 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스가 개시되어 있다. 이와 같은 광검출기 디바이스는, 광이 입사되는 수광면에서 상부반도체물질층의 일부 또는 전부를 제거시켜 입사광의 적어도 일부가 상부반도체물질층을 거치지 않고 직접적으로 진성반도체물질층에 입사되는 구조를 가지므로, 수광면적이 상대적으로 큰 경우에도 작은 캐패시턴스를 가진다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990027990 (1999.07.12)
출원인 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0636093-0000 (2006.10.12)
공개번호/일자 10-2001-0009571 (2001.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20061019) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.29)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황웅린 대한민국 경기도군포시
2 김준영 대한민국 경기도군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-0077923-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0119956-71
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2000-0106069-21
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.10.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-0212820-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2002-0039038-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.10.11 수리 (Accepted) 4-1-2002-0079231-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2003-0000806-26
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2003.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-5149359-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2003-5079986-93
10 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2003.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2003-5235627-96
11 출원심사청구서
Request for Examination		 2004.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0283499-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
14 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
15 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0058810-87
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0103679-64
17 의견서
Written Opinion		 2006.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0286382-54
18 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0286383-00
19 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0508120-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일형으로 도핑된 반도체 기판; 상기 기판 위에 형성되어 입사광을 흡수하는 진성반도체물질층; 입사광의 적어도 일부가 진성반도체물질층에 직접적으로 입사되도록 상기 진성반도체물질층 상의 일부에만 형성되고 상기 기판과 다른 형으로 도핑된 상부반도체물질층; 상기 상부반도체물질층 상에 소정 패턴으로 형성되고 상기 상부반도체물질층과 전기적으로 연결된 상부전극; 및 상기 기판과 전기적으로 연결된 하부전극을 포함하며, 상기 진성반도체물질층이 광이 입사되는 수광면의 적어도 일부를 이루도록 된 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
2 2
제1항에 있어서, 상기 상부반도체물질층은 상기 상부전극의 하부측에만 형성된 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
3 3
제2항에 있어서, 상기 상부반도체물질층은 상기 수광면에 소정 패턴으로 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판과 진성반도체물질층 사이에 상기 기판과 같은 형으로 도핑된 하부반도체물질층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판에 대해 돌출 형성된 메사(mesa) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부전극은 상기 기판의 하면 또는 상기 메사 외측에 형성된 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
7 7
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수광면 상에 비반사층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
8 8
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부전극의 적어도 일부 및 수광면을 제외한 영역에 형성된 절연층; 및 백그라운드 발광에 의한 노이즈 발생을 억제시키도록 상기 절연층 상에 형성된 반사층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 GaAs, InGaAs 또는 Si로 이루어진 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스
10 10
(가) 일형으로 도핑된 반도체 기판을 준비하는 단계; (나) 상기 기판위에 입사광을 흡수하는 진성반도체물질층을 형성시키는 단계; (다) 입사광의 적어도 일부가 상기 진성반도체물질층에 직접적으로 입사되도록 상기 진성반도체물질층 상의 일부에만 상기 기판과 다른 형으로 도핑된 상부반도체물질층을 형성시키는 단계; (라) 상기 상부반도체물질층 상에 소정 패턴으로 형성되어 상기 상부반도체물질층과 전기적으로 연결된 상부전극을 형성시키는 단계; 및 (마) 상기 기판과 전기적으로 연결된 하부전극을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 단계 (다)는, 상기 진성반도체물질층상에 상부반도체물질층을 형성시키는 단계; 및 광이 입사되는 수광면의 적어도 일부가 상기 진성반도체물질층으로 이루어지도록 상기 상부반도체물질층의 적어도 일부분을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 상부반도체물질층은 상기 상부전극의 하부측을 제외한 부분이 식각되는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 상부반도체물질층은 상기 수광면의 소정 패턴 및 상부전극의 하부측을 제외한 부분이 식각되는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 단계 (가)와 (나) 사이에, 상기 기판 상에 상기 기판과 같은 형의 하부반도체물질층을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 하부반도체물질층, 진성반도체물질층 및 상부반도체물질층은 상기 기판상에 순차적으로 에피성장에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
16 16
제10항 또는 제14항에 있어서, 상기 진성반도체물질층은 에피성장 또는 확산에 의해 형성되며, 상기 상부반도체물질층은 확산에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 단계 (라)는, 광이 입사되는 수광면 외측을 식각하여 그 기판에 대해 돌출된 메사를 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
18 18
제10항 또는 제17항에 있어서, 상기 하부전극은 상기 기판의 하면 또는 상기 메사 외측에 형성되는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
19 19
제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수광면 상에 비반사층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
20 20
제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부전극의 적어도 일부 및 수광면을 제외한 영역에 절연층을 형성하는 단계; 및 백그라운드 발광에 의한 노이즈 발생을 억제시키도록 상기 절연층 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
21 20
제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부전극의 적어도 일부 및 수광면을 제외한 영역에 절연층을 형성하는 단계; 및 백그라운드 발광에 의한 노이즈 발생을 억제시키도록 상기 절연층 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광검출기 디바이스 제조방법
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1 US6589848 US 미국 DOCDBFAMILY
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