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능동 픽셀 센서

  • 기술번호 : KST2014011477
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 능동 픽셀 센서에 관한 것으로서,포토다이오드, 제 3 트랜지스터, 제 4 트랜지스터, 제 5 트랜지스터를 통해 특정 빛에 의해 발생한 전압이 인테그레이션 노드에서 나타나면, 이를 증폭하는 제 1 트랜지스터; 행선택 트랜지스터로서, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 증폭된 전압을 원하는 시간에 출력 단에 넘겨주기 위하여, 픽셀 열에서 특정 픽셀 행을 선택하는 제 2 트랜지스터; 포토다이오드, 제 4 트랜지스터 및 제 5 트랜지스터를 통해 생성된 인테그레이션 노드의 전압을, 리셋기간 동안 VDD로부터 공급되는 전압으로 리셋 시키는 제 3 트랜지스터; 포토게이트로서, 인테그레이션 노드 전압이 VDD-th4가 되면 포토게이트 커패시턴스를 인테그레이션 노드에 연결하여, 빛을 받을 수 있는 범위를 늘리는 제 4 트랜지스터; 상기 제 4 트랜지스터에 의한 비선형적인 커패시턴스 응답으로도 받을 수 없는 더 강한 빛을 받기 위해 사용되는 로그응답 트랜지스터로서, 인테그레이션 노드의 전압이 로그 바이어스 전압이 되었을 때, 빛에 따라 로그응답으로 신호전압을 나타나게 하는 제 5 트랜지스터; 및 빛이 외부에서 들어오면 공핍층 부분에서 광전자가 전자쌍으로 변화면서 신호전하가 축적되는 포토다이오드; 를 포함한다. 픽셀, 트랜지스터, 포토게이트
Int. CL H01L 27/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070078866 (2007.08.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0898908-0000 (2009.05.15)
공개번호/일자 10-2009-0014716 (2009.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.07)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양경훈 대한민국 대전 유성구
2 이하준 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 유완식 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, **층 *T 국제특허법률사무소 (역삼동, 여삼빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0571463-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0031921-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0443725-21
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0741294-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0810338-27
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0881517-46
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0049698-32
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0049679-75
10 등록결정서
Decision to grant
2009.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0202836-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
능동 픽셀 센서에 있어서, 포토다이오드, 제 3 트랜지스터, 제 4 트랜지스터, 제 5 트랜지스터를 통해 특정 빛에 의해 발생한 전압이 인테그레이션 노드(N)에서 나타나면, 이를 증폭하는 제 1 트랜지스터; 행선택(select) 트랜지스터로서, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 증폭된 전압을 원하는 시간에 출력 단에 넘겨주기 위하여, 픽셀 열(Array)에서 특정 픽셀 행을 선택하는 제 2 트랜지스터; PMOS형 리셋 트랜지스터로서, 포토다이오드, 제 4 트랜지스터 및 제 5 트랜지스터를 통해 생성된 인테그레이션 노드(N)의 전압을, 리셋기간 동안 VDD로부터 공급되는 전압으로 리셋 시키는 제 3 트랜지스터; 포토게이트로서, 인테그레이션 노드(N) 전압이 VDD-th4(제 4 트랜지스터의 문턱전압)가 되면 포토게이트 커패시턴스를 인테그레이션 노드(N)에 연결하여, 빛을 받을 수 있는 범위를 늘리는 제 4 트랜지스터; 상기 제 4 트랜지스터에 의한 비선형적인 커패시턴스 응답으로도 받을 수 없는 더 강한 빛을 받기 위해 사용되는 로그응답(Logarithmic) 트랜지스터로서, 인테그레이션 노드(N)의 전압이 로그 바이어스 전압(Logarithmic bias voltage)이 되었을 때, 빛에 따라 로그응답으로 신호전압을 나타나게 하는 제 5 트랜지스터; 및 빛이 외부에서 들어오면 공핍층 부분에서 광전자(photon)가 전자쌍으로 변화면서 신호전하가 축적되는 포토다이오드; 를 포함하되, 상기 제 3 트랜지스터가 켜지면서 인테그레이션 노드(N) 전압이 VDD 전압으로 리셋되면, 포토다이오드의 커패시턴스 양단의 전압도 VDD가 되며, 제 3 트랜지스터가 꺼지면 포토다이오드의 커패시턴스가 빛 전류에 의해 방전되면서 빛 전압을 나타나게 되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트는 제 3 트랜지스터의 소스, 포토다이오드의 캐소드, 제 4 트랜지스터의 소스, 그리고 제 5 트랜지스터의 소스에 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터의 소스는 제 2 트랜지스터의 드레인과 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터의 드레인은 VDD에 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 트랜지스터의 드레인은, 제 1 트랜지스터의 소스와 결합되며, 제 2 트랜지스터의 소스는 output 노드와 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 3 트랜지스터의 게이트는 리셋 신호가 들어오고, 드레인은 VDD와 연결되며, 소스는 제 1 트랜지스터의 게이트, 포토다이오드의 캐소드, 제 4 트랜지스터의 소스, 그리고 제 5 트랜지스터의 소스에 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 4 트랜지스터의 게이트는 VDD에 연결되며, 소스는 제 1 트랜지스터의 게이트, 제 3 트랜지스터의 소스, 포토다이오드의 캐소드, 그리고 제 5 트랜지스터의 소스에 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 5 트랜지스터의 게이트는 드레인과 연결되어 로그 바이어스 전압(Logarithmic bias voltage)이 주어지고, 소스는 제 3 트랜지스터의 소스, 포토다이오드의 캐소드, 제 1 트랜지스터의 게이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 능동 픽셀 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터는, 소스 폴로어(Source Follower)인 것을 특징으로 하는 능동 픽셀 센서
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 포토다이오드는, p-n접합에 의해 생긴 공핍층을 갖는 것을 특징으로 하는 능동 픽셀 센서
5 5
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삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07573017 US 미국 FAMILY
2 US20090039236 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009039236 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7573017 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.