| 1 |
1
하기 화학식 2로 표시되는 갈륨 알콕사이드 화합물:
[화학식 2]
Ga[O-CR4R5(CH2)m-NR1R2]x[R3]3-x
상기 화학식 2에서, R1 내지 R5는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이고; m은 1 내지 3의 정수이다
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,
상기 m이 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 갈륨 알콕사이드 화합물
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,
상기 R1 내지 R5는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 갈륨 알콕사이드 화합물
|
| 5 |
5
하기 화학식 3으로 표시되는 갈륨 화합물과 화학식 4로 표시되는 알코올을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 갈륨 알콕사이드 화합물의 제조방법:
[화학식 1]
Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x
[화학식 3]
GaR33
[화학식 4]
HO-A-NR1R2
상기 화학식 1, 화학식 3 내지 4에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다
|
| 6 |
6
하기 화학식 5로 표시되는 갈륨 화합물과 화학식 6로 표시되는 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 갈륨 알콕사이드 화합물의 제조방법:
[화학식 1]
Ga[O-A-NR1R2]x[R3]3-x
[화학식 5]
Ga[X]x[R3]3-x
[화학식 6]
MO-A-NR1R2
상기 화학식 1, 화학식 5 및 화학식 6에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R3는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이고; M은 Li, Na 또는 K이며; X는 Cl, Br 또는 I이다
|
| 7 |
7
하기 화학식 7로 표시되는 갈륨 화합물과 하기 화학식 4로 표시되는 알코올을 반응시켜 하기 화학식 8의 갈륨 알콕사이드 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 갈륨 알콕사이드 화합물의 제조방법:
[화학식 4]
HO-A-NR1R2
[화학식 7]
Ga[NR62]3
[화학식 8]
Ga[O-A-NR1R2]3
상기 화학식 4, 화학식 7 및 화학식 8에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 내지 R2는 서로 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R6는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C1-C5)알킬실릴기이다
|
| 8 |
8
제 1항, 제 3항 및 제 4항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 갈륨 알콕사이드 화합물을 전구체로 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 산화물 박막의 제조방법
|
| 9 |
9
제 8항에 있어서,
갈륨 산화물 박막은 화학기상 증착법(MOCVD) 또는 원자층 증착법(ALD)으로 형성되는 갈륨 산화물 박막의 제조방법
|
