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반도체층의 도핑방법, 이를 이용한 후면전극형 태양전지 및그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015056315
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체층의 도핑방법과 이러한 과정을 포함하는 후면전극형 태양전지의 제조방법 및 이로 인해 제조되는 후면전극형 태양전지에 관한 것으로서, 구체적으로 반도체층을 도핑하는 공정은 반도체 기판의 표면에 식각저항막을 패터닝하여 형성하는 단계와, 상기 식각저항막이 형성되지 않은 반도체 기판의 표면을 식각하여 불순물 도핑 채널을 형성하는 단계와, 상기 식각저항막을 제거하고, 상기 불순물 도핑 채널 위에 상기 채널 상면부와 외부를 차단시키고 탈부착이 가능한 채널 차폐막 을 부착하는 단계와, 외부와 차단된 상기 불순물 도핑 채널에 반도체 불순물을 주입하는 단계와, 및 상기 채널 차폐막 을 탈착하고 열처리하여 상기 불순물을 반도체 기판 내로 도입하는 단계를 포함한다.태양전지, 도핑, 불순물, 후면전극형, 채널, 식각, 식각저항막, 채널차폐막
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01)
출원번호/일자 1020090007595 (2009.01.30)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1549555-0000 (2015.08.27)
공개번호/일자 10-2010-0088398 (2010.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20150904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박창서 대한민국 서울특별시 영등포구
2 최영호 대한민국 경기도 하남시 신평로 **,
3 윤필원 대한민국 경기도 군포시
4 김형석 대한민국 서울 영등포구
5 김진성 대한민국 서울특별시 송파구
6 장재원 대한민국 서울특별시 송파구
7 최철재 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0061079-73
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219339-79
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0034416-07
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0097977-51
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0892112-60
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0116037-31
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0116035-40
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0433813-04
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.07.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2015-0031629-29
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0557435-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
반도체 기판의 후면에 에미터층과 BSF층을 포함하는 후면전극형 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,제1 도전형 반도체 기판의 후면에 제1 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널과 제2 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널을 상호 이격하여 형성하는 단계;상기 제1 도전형의 불순물 도핑 채널과 상기 제2 도전형의 불순물 도핑 채널을 통해 제1 도전형의 반도체 불순물과 제2 도전형의 반도체 불순물을 각각 주입하는 단계; 및상기 반도체 불순물을 열처리하여 상기 제1 도전형의 반도체 불순물과 제2 도전형의 반도체 불순물을 반도체 기판 내로 확산하여 BSF층과 에미터층을 각각 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 도전형의 반도체 불순물과 제2 도전형의 반도체 불순물을 각각 주입하는 단계 이전에, 반도체 기판의 후면에 탈부착이 가능한 채널차폐막을 형성하고, 상기 반도체 불순물의 주입 후에 상기 채널차폐막을 제거하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 제1 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널과 제2 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널은 기판을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 제1 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널과 제2 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널은 기판의 전면을 텍스쳐링함과 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 제1 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널과 제2 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널을 형성한 후, 반도체 기판의 전면에 산화막을 형성하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 2항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 제1 도전형의 반도체 불순물은 p형 불순물이고, 상기 제2 도전형의 반도체 불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
8 8
제 2항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 기판은 n형 실리콘 기판이고, 상기 제1 도전형의 반도체 불순물은 n형 불순물이고, 상기 제2 도전형의 반도체 불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
9 9
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 p형 불순물은 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In)으로 구성된 3족 원소 중에서 선택되는 어느 하나의 원소를 포함하는 화합물과 물의 혼합액인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
10 10
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 n형 불순물은 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb)로 구성된 5족 원소 중에서 선택되는 어느 하나의 원소를 포함하는 화합물과 물의 혼합액인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
11 11
제 2항에 있어서,상기 제1 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널과 제2 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널을 형성하는 단계는, 제1 도전형 반도체 기판의 후면에 식각저항막을 패터닝하여 형성하는 단계;상기 식각저항막이 형성되지 않은 반도체 기판의 후면을 식각하여 상기 식각저항막에 의해 이격된 제1 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널과 제2 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널을 형성하는 단계; 및상기 식각저항막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
12 12
제 2항에 있어서,상기 제1 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널과 제2 도전형의 반도체 불순물 도핑 채널을 형성한 후, 상기 불순물 도핑 채널의 표면을 친수성으로 처리하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
13 13
제 2항에 있어서,상기 채널 차폐막은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane; PDMS), 실리콘계 고무(Silicon Rubber), 폴리부타디엔(Polybutadiene), 니트릴 고무(Nitrile Rubber), 아크릴 고무(Acryl Rubber), 부틸 고무(Butyl Rubber), 폴리이소프렌(Polyisoprene), 및 폴리스티렌-부타디엔 공중합체(Poly(Styrene-co-Butadiene))로 구성된 그룹 중에서 선택된 어느 하나 이상의 고분자 필름층인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
14 14
제 2항에 있어서,상기 BSF층과 에미터층을 각각 형성하는 단계 이후에 기판 후면에 생성되는 불순물 확산 부산물을 제거하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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