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태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015056921
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 출원의 일 실시예에서는 기판의 한쪽 면에 보호막을 형성하는 단계, 상기 한쪽 면의 이면에 대해서 요철을 형성하는 단계, 상기 한쪽 면에서 보호막을 제거하는 단계, 상기 한쪽 면에 마스크를 위치하고, 이를 베리어로 불순물을 포함하고 있는 SOD(spin on dopant) 용액을 부분적으로 스프레이하는 단계, 상기 SOD 용액에 포함되어 있는 불순물을 상기 기판으로 확산하는 단계, 상기 이면에서 산화물을 제거하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법을 제공한다. 태양 전지, 확산, 도핑, SOG, SOD
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020090027019 (2009.03.30)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0108805 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진성 대한민국 서울특별시 서초구
2 최철재 대한민국 서울특별시 서초구
3 박창서 대한민국 서울특별시 서초구
4 장재원 대한민국 서울특별시 서초구
5 김형석 대한민국 서울특별시 서초구
6 최영호 대한민국 서울특별시 서초구
7 윤필원 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0190972-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0188127-28
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0029799-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0410567-83
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0757096-26
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0757097-72
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0878800-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 한쪽 면에 보호막을 형성하는 단계, 상기 한쪽 면의 이면에 대해서 요철을 형성하는 단계, 상기 한쪽 면에서 보호막을 제거하는 단계, 상기 한쪽 면에 마스크를 위치하고, 이를 베리어로 불순물을 포함하고 있는 SOD(spin on dopant) 용액을 부분적으로 스프레이하는 단계, 상기 SOD 용액에 포함되어 있는 불순물을 상기 기판으로 확산하는 단계, 상기 이면에서 산화물을 제거하는 단계, 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계는, SOG(spin on glass) 용액을 상기 한쪽 면에 도포하고, 상기 SOG(spin on glass) 용액과 상기 기판이 반응해서 만들어지는 산화막을 보호막으로 이용하는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계는, 글래스 프릿(glass frit)을 상기 한쪽 면에 도포하고, 이를 열처리해서 보호막으로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 산화물을 제거하는 단계는, 상기 산화물에 에천트를 공급해서 상기 산화물을 식각하고, 이어서 H2SO4과 H2O2가 1:1의 부피비를 갖는 에천트를 더 공급해서 상기 이면에 잔존하는 불순물을 제거하는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 요철을 형성한 다음에, 상기 요철을 덮는 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 불순물은 5가 원소들 또는 3가 원소들에서 선택되는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 기판은 3가 원소들의 불순물로 도핑되어 있는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 불순물을 기판으로 확산하는 단계 이후에, 상기 기판의 한쪽 면에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.