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전기화학적 산화를 이용한 적층 전극의 제조 방법 및 염료감응 태양전지에의 적용

  • 기술번호 : KST2014011404
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 투명 도전막과 산화물 반도체막으로 이루어진 적층 전극의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 투명 도전막과 산화물 반도체막으로 이루어진 적층 전극을 제조하는 방법에 있어서, 투명 도전막상에 산화물 반도체 전구체를 도포하는 단계; 상기 전구체가 도포된 투명 도전막을 산화 분위기에서 열처리하여 산화물 반도체막/투명도전막의 적층 전극을 형성하는 단계; 및 상기 열처리 후 환원 분위기에서 상기 적층 전극을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 전극 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 투명전극의 저항의 감소나 금속산화물 전극의 특성 열화 없이 전기적 특성이 우수한 적층 전극을 제조할 수 있으며, 이것은 염료감응 태양전지의 음극전극으로 사용될 때 광전변환 특성을 크게 향상시킬 수 있다.투명전극, 산화물 반도체, 적층 전극, 산화, 환원, 전기화학, 염료감응, 태양전지
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020070031115 (2007.03.29)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0874211-0000 (2008.12.09)
공개번호/일자 10-2008-0088291 (2008.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20081215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 서울 관악구
2 배신태 대한민국 서울 성동구
3 노준홍 대한민국 서울 구로구
4 김진영 대한민국 서울 서초구
5 정현석 대한민국 서울 광진구
6 홍국선 대한민국 서울 서초구
7 김동욱 대한민국 경기 성남시 수정구
8 노태훈 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0247874-92
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0045419-42
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0346250-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.29 수리 (Accepted) 9-1-2008-0011797-49
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0142738-98
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0327280-71
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0327277-33
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0464839-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
투명 도전막과 산화물 반도체막으로 이루어진 적층 전극을 제조하는 방법에 있어서,투명 도전막상에 산화물 반도체 전구체를 도포하는 단계;상기 전구체가 도포된 투명 도전막을 산화 분위기에서 열처리하여 산화물 반도체막/투명도전막의 적층 전극을 형성하는 단계; 상기 열처리 후 환원 분위기에서 상기 적층 전극을 열처리하는 단계; 및전기화학적 산화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 전극 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,환원 분위기 열처리는 수소, 일산화탄소, 이산화탄소, 질소 및 아르곤으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 하나의 가스 분위기 및 100 oC ~ 500 oC의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 적층 전극 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전기화학적 산화 단계는 전해질 용액 내에 상기 적층 전극을 제공하고 상기 적층 전극에 양의 전압을 인가함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 적층 전극 제조 방법
5 5
유리기판상에 투명 도전막을 제공하는 단계;상기 투명 도전막상에 산화물 반도체 전구체를 도포하는 단계;상기 전구체가 도포된 투명 도전막을 산화 분위기에서 열처리하여 상기 유리기판 상에 산화물 반도체막/투명도전막의 적층 전극을 형성하는 단계; 상기 열처리 후 상기 유기기판을 환원 분위기에서 열처리하는 단계; 및전기화학적 산화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지의 전극 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서,상기 전기화학적 산화 단계는 전해질 용액 내에 상기 적층 전극이 형성된 유리 기판을 제공하고 상기 적층 전극에 양의 전압을 인가함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지의 전극 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.