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단일 입력 레벨 시프터

기술번호 : KST2015070583
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시 예에 따른 단일 입력 레벨 시프터는 입력 신호에 응답하여 전원 전압을 제 1 노드에 인가하고, 기준 신호에 응답하여 상기 입력 신호를 제 2 노드에 인가하는 입력부, 상기 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 상기 전원 전압을 상기 제 2 노드에 인가하는 부트스트래핑부, 상기 기준 신호에 응답하여 상기 입력 신호를 출력 단자로 인가하고, 상기 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 상기 전원 전압을 상기 출력 단자로 인가하는 출력부를 포함하되, 상기 부트스트래핑부는 상기 제 1 및 제 2 노드 사이에 위치한 커패시터를 포함하고, 상기 입력 신호가 제 1 전압 레벨로부터 제 2 전압 레벨로 천이되면, 상기 부트스트래핑부는 상기 제 1 노드의 전압 레벨을 상기 전원 전압보다 높게 상승시킨다.
Int. CL	H03K 17/30 (2006.01.01) H03K 19/0185 (2006.01.01)
CPC	H03K 17/302(2013.01) H03K 17/302(2013.01) H03K 17/302(2013.01)
출원번호/일자	1020130009285 (2013.01.28)
출원인	건국대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-2027420-0000 (2019.09.25)
공개번호/일자	10-2014-0029111 (2014.03.10) 문서열기
공고번호/일자	(20191002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020120094439 \| 2012.08.28
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.12.18)
심사청구항수	5

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	건국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 광진구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	피재은	대한민국	경기 성남시 분당구
2	박기찬	대한민국	경기도 성남시 분당구
3	김상연	대한민국	서울특별시 중랑구
4	김준동	대한민국	경기 의왕시 통미마
5	김연경	대한민국	대전 대덕구
6	임홍균	대한민국	서울 성동구
7	박상희	대한민국	대전 유성구
8	유병곤	대한민국	충북 영동군
9	황치선	대한민국	대전 유성구
10	김종우	대한민국	서울 강동구
11	권오상	대한민국	대전 유성구
12	유민기	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	건국대학교 산학협력단		서울특별시 광진구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.01.28	수리 (Accepted)	1-1-2013-0080513-16
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.05.11	수리 (Accepted)	1-1-2015-0446475-11
4	[출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status	2017.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2017-1233227-79
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2017.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2017-1255364-20
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2019.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0151099-12
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2019.04.30	수리 (Accepted)	1-1-2019-0448329-59
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2019.04.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0448330-06
9	등록결정서 Decision to grant	2019.09.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0689200-56

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 입력 신호에 응답하여 전원 전압을 제 1 노드에 인가하고, 기준 신호에 응답하여 상기 입력 신호를 제 2 노드에 인가하는 입력부;상기 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 상기 전원 전압을 상기 제 2 노드에 인가하는 부트스트래핑부; 및상기 기준 신호에 응답하여 상기 입력 신호를 출력 단자로 인가하고, 상기 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 상기 전원 전압을 상기 출력 단자로 인가하는 출력부를 포함하되,상기 부트스트래핑부는 상기 제 1 및 제 2 노드 사이에 위치한 커패시터를 포함하고, 상기 입력 신호가 제 1 전압 레벨로부터 제 2 전압 레벨로 천이되면, 상기 부트스트래핑부는 상기 제 1 노드의 전압 레벨을 상기 전원 전압보다 높게 상승시키며,상기 제 1 전압 레벨은 상기 제 2 전압 레벨보다 낮은 레벨을 가지며, 상기 제 2 전압 레벨은 상기 기준 신호 보다는 높고 상기 전원 전압 보다는 낮은 레벨을 갖는 단일 입력 레벨 시프터
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서,상기 입력 신호가 상기 제 2 전압 레벨로부터 상기 제 1 전압 레벨로 천이되면, 상기 출력부는 상기 출력 단자의 전압을 방전하는 단일 입력 레벨 시프터
4	4 제 1 노드와 전원 단자 사이에 연결되어, 입력 단자로부터 인가되는 입력 신호에 따라 제어되는 제 1 NMOS 트랜지스터;상기 제 1 NMOS 트랜지스터와 상기 입력 단자 사이에 연결되어, 기준 단자로부터 인가되는 기준 신호에 따라 제어되는 제 2 NMOS 트랜지스터;상기 전원 단자와 제 2 노드 사이에 연결되어, 상기 제 1 노드에 인가되는 전압에 따라 제어되는 제 3 NMOS 트랜지스터;상기 제 2 노드와 상기 입력 단자 사이에 연결되어, 상기 기준 신호에 따라 제어되는 제 4 NMOS 트랜지스터;상기 전원 단자와 출력 단자 사이에 연결되어, 상기 제 1 노드에 인가되는 전압에 따라 상기 출력 단자에 전원 전압을 공급하는 제 5 NMOS 트랜지스터;상기 출력 단자와 상기 입력 단자 사이에 연결되어, 상기 기준 신호에 따라 상기 출력 단자에 상기 입력 신호를 공급하는 제 6 NMOS 트랜지스터; 및상기 제 1 및 제 2 노드 사이에 연결되는 커패시터를 포함하며,상기 입력 신호는 제 1 전압 레벨 및 제 2 전압 레벨 사이를 천이하고, 상기 제 1 전압 레벨은 상기 제 2 전압 레벨보다 낮은 레벨을 가지며, 상기 제 2 전압 레벨은 상기 기준 신호 보다는 높고 상기 전원 전압 보다 낮은 레벨을 갖는 단일 입력 레벨 시프터
5	5 삭제
6	6 삭제
7	7 제 4 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 6 NMOS 트랜지스터들은 산화물 박막 트랜지스터들인 단일 입력 레벨 시프터
8	8 제 4 항에 있어서,상기 제 4 NMOS 트랜지스터는 상기 제 1, 제2, 제3, 제5, 제6 NMOS 트랜지스터들 보다 크게 제작되는 단일 입력 레벨 시프터

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US09035688	US	미국	FAMILY
2	US20140062572	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	서울대 산학협력단	산업원천기술개발사업(정보통신)	고품위 Plastic AMOLED 원천기술 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-2027420-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20130128 출원 번호 : 1020130009285 공고 연월일 : 20191002 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20190924 청구범위의 항수 : 5 유별 : G09G 3/20 발명의 명칭 : 단일 입력 레벨 시프터 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	120,000 원	2019년 09월 26일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.01.28	수리 (Accepted)	1-1-2013-0080513-16
2	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.05.11	수리 (Accepted)	1-1-2015-0446475-11
4	[출원인변경]권리관계변경신고서	2017.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2017-1233227-79
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2017.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2017-1255364-20
6	의견제출통지서	2019.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0151099-12
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2019.04.30	수리 (Accepted)	1-1-2019-0448329-59
8	[명세서등 보정]보정서	2019.04.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0448330-06
9	등록결정서	2019.09.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0689200-56


기술번호	KST2015070583
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	단일 입력 레벨 시프터
기술개요	본 발명의 실시 예에 따른 단일 입력 레벨 시프터는 입력 신호에 응답하여 전원 전압을 제 1 노드에 인가하고, 기준 신호에 응답하여 상기 입력 신호를 제 2 노드에 인가하는 입력부, 상기 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 상기 전원 전압을 상기 제 2 노드에 인가하는 부트스트래핑부, 상기 기준 신호에 응답하여 상기 입력 신호를 출력 단자로 인가하고, 상기 제 1 노드의 전압 레벨에 따라 상기 전원 전압을 상기 출력 단자로 인가하는 출력부를 포함하되, 상기 부트스트래핑부는 상기 제 1 및 제 2 노드 사이에 위치한 커패시터를 포함하고, 상기 입력 신호가 제 1 전압 레벨로부터 제 2 전압 레벨로 천이되면, 상기 부트스트래핑부는 상기 제 1 노드의 전압 레벨을 상기 전원 전압보다 높게 상승시킨다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415121976
세부과제번호	10035225
연구과제명	고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	서울대학교 산학협력단
연구주관기관명	서울대학교산학협력단
성과제출연도	2012
연구기간	201003~201502
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

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