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유기발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015137228
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는, 향상된 수평 배향성을 갖는 도펀트를 함유하는 호스트/도펀트 방식의 발광층을 포함하는 유기발광다이오드를 제공한다. 본 발명의 일 측면에 따른 유기발광다이오드의 일 구현예는, 양극층; 상기 양극층 위에 위치하는 발광층으로서, 엑시플렉스를 형성하는 정공수송물질 및 전자수송물질을 포함하는 호스트 및 Ir(mphmq)2tmd계 인광 물질을 포함하는 도펀트를 포함하는 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치하는 음극층;을 포함한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01)
출원번호/일자 1020130005110 (2013.01.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1617877-0000 (2016.04.27)
공개번호/일자 10-2014-0092710 (2014.07.24) 문서열기
공고번호/일자 (20160503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.16)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울 종로구
2 김권현 대한민국 경남 창원시 성산구
3 이성훈 대한민국 서울 동작구
4 김세용 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0045845-93
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0009645-17
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0181855-06
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0877098-64
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0592068-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0892506-33
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0145238-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양극층; 상기 양극층 위에 위치하는 발광층으로서, 엑시플렉스를 형성하는 정공수송물질 및 전자수송물질을 포함하는 호스트; 및 Ir(mphmq)2tmd계 인광 물질을 포함하는 도펀트;를 포함하는 발광층; 및 상기 발광층 위에 위치하는 음극층;을 포함하는,유기발광다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 호스트는, 엑시플렉스를 형성하는 정공수송물질:전자수송물질 쌍으로서, NPB:B3PYMPM, TCTA:B3PYMPM, TCTA:TPBi, TCTA:3TPYMB, TCTA:BmPyPB, TCTA:BSFM, CBP:B3PYMPM, 또는 NPB:BSFM를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 발광층에 있어서, 상기 전자수송물질의 함량은, 상기 정공수송물질의 100 몰부를 기준으로 하여, 50 몰부 내지 150 몰부인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 발광층에 있어서, 상기 Ir(mphmq)2tmd계 인광 물질의 함량은, 상기 정공수송물질, 상기 전자수송물질 및 상기 Ir(mphmq)2tmd계 인광 물질의 총 중량 100 wt%를 기준으로 하여, 1 wt% 내지 20 wt%인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 유기발광다이오드가, 상기 양극층과 상기 발광층의 사이에, 정공 수송층 및 정공 주입층 중의 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 유기발광다이오드가, 상기 음극층과 상기 발광층의 사이에, 전자 수송층 및 전자 주입층 중의 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 전자 수송층이 n 도펀트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 유기발광다이오드를 포함하는 조명
9 9
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 유기발광다이오드를 포함하는 디스플레이 장치
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1 WO2014112821 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2014112821 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발