맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

규소저매늄/저매늄완충층을이용한규소기판상의갈륨비소박막성장방법

  • 기술번호 : KST2015073809
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 규소저매늄/저매늄을 완충층으로 하여 규소기판상의 갈륨비소층을 형성하기 위한 박막성장방법에 관한 것이다.그 제조방법은 규소기판(4)상에 규소저매늄 박막(1)을 성장하되 저매늄의 분자함량을 점증시켜 에너지띠 단격이 규소에서 재매늄값으로 변화될 때 성장하는 공정과, 상기 규소저매늄 박막(1)상에 저매늄 박막(2)을 성장하는 공정과, 상기 저매늄 박막(2)상에 갈륨비소층(3)을 형성하는 공정을 포함하여, 상기 규소기판(4)과 갈륨비소층(3) 사이에 있는 규소저매늄 박막(1)과 저매늄 박막(2)을 완충층으로 한다.
Int. CL H01L 35/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 31/03046(2013.01) H01L 31/03046(2013.01)
출원번호/일자 1019910024258 (1991.12.24)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0085348-0000 (1995.06.01)
공개번호/일자 10-1993-0015149 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019950001620 (19950227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.24)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 염병렬 대한민국 대전직할시중구
2 강상원 대한민국 대전직할시중구
3 이경수 대한민국 대전직할시서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132416-54
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132417-00
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132415-19
4 특허출원서
Patent Application		 1991.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132414-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063891-14
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132419-91
7 의견서
Written Opinion		 1994.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0132418-45
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063892-59
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0063893-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광전집적회로(OEIC)구현을 위하여 규소(Si)기판위에 갈륨비소(GaAs)박막을 성장시키는 방법에 있어서, 상기 규소와 갈륨비소간의 격자부정합(Lattice Mismatch)을 줄이기 위하여 규소기판과 갈륨비소층 사이에 규소저매늄(SiGe)과 저매늄(Ge)이 이종접합된 완충층을 형성하는 것을 특징으로 하는 SiGe/Ge 완충층을 이용한 규소기판상의 갈륨비소박막 성장방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.