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이득결합분포궤환형레이저다이오드의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074550
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 레이저 다이오드는 n+-InP 기판(17) 위에 얇게 성장되는 반절연 InP 층(18)을 가지며, 기존의 광간섭을 이용한 방식에서와 같은 구조를 갖는다.반절연 InP 층(18)이 n+-InP 층에 비해 상대적으로 높은 저항을 가짐으로 인해 전류의 흐름을 줄여 주는데, 본 발명에서는 이를 이용한다.회절격자로서 반절연 InP와 n+-InP가 주기적으로 반복되므로, 회절격자로부터 100㎚ 정도 위에 형성되어 있는 활성층(21)에서도 빛을 발생시키기 위한 이득의 차가 주기적으로 유발되어서 활성층(21)의 이득이 회절격자를 통하여 결합(coupling)되는 효과를 가질 수 있다.
Int. CL H01S 5/12 (2006.01)
CPC H01S 5/125(2013.01) H01S 5/125(2013.01)
출원번호/일자 1019940036366 (1994.12.23)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0027103 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종대 대한민국 대전직할시서구
2 김제한 대한민국 대전직할시유성구
3 이승원 대한민국 대전직할시유성구
4 오대곤 대한민국 대전직할시유성구
5 주흥로 대한민국 대전직할시유성구
6 박형무 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164022-77
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164021-21
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164020-86
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164023-12
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164024-68
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091111-35
7 의견서
Written Opinion		 1998.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164026-59
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164025-14
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164027-05
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091112-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n+-InP 기판 위에 반절열 InP 층을 엷게 형성하고, 포토레지스트(27)를 코팅한 후, 레이저 광의 간섭무늬를 이용하여 회절격자의 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 습식식각하는 것에 의해 반절연 InP와 n+-InP로 형성된 이득결합용 회절격자를 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정과; 상기 회절격자 위에 도파로층을 형성하고, 재성장기법에 의해 비도핑 InGaAsP로 이루어지는 1클래딩층, 활성층, 비도핑 InGaAsP로 이루어지는 제2클래딩층, p-InGaAsP 또는 P-InP로 이루어지는 제3클래딩층 및, p*-InGaAsP로 이루어지는 캡층을 순차로 형성하는 공정을 포함하는 이득결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 도파로층은 n-InGaAsP로 형성되는 이득결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 도파로층은 n-In로 형성되는 이득결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 회절격자의 형성을 위한 습식식각공정에서 부식액으로서 HNO3/HBr/H2O계의 용액을 사용되는 이득결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법

5 5

n+-InP 기판 위에 반절연 InP층을 성장시키고, 그 위에 PECVD에 의해 얇은 SiNx층을 성장시키는 공정과, 포토레지스트를 도포하고 레이저 광의 광 간섭 무늬를 이용하여 회절격자용 레지스트 패턴을 형성한 후, MERIE에 의해 상기 SiNx층을 건식식각하고 레지스트 패턴을 제거하는 공정과; CH4/H2를 이용한 RIE에 의해 직사각형의 회절격자를 형성한 후, 그 위에 차례로 도파로층, 제1클래딩층, 활성층, 제2클래딩층, 제3클래딩층, 캡층을 성장시키는 공정을 포함하는 이득결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 도파로층은 n-InGaAsP로 형성되는 이득결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 도파로층은 n-In로 형성되는 이득결합 분포궤환형 레이저 다이오드의 제조방법

8
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.