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헬리콘파 팔라즈마 화학기상 증착방법에 의한 에스.아이.오.에프박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015075203
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 헬리콘 파 플라즈마를 이용하여 SiF4 또는 FTES와 O2가스를 이온화시켜 화학기상 증착방법으로 저유전 상수를 갖는 SiOF박막을 형성시켜 장차 0.2㎛급 차세대 기억소자의 층간 절연막으로 이용할 수 있는 공정방법의 개발에 관한 것이다. 헬리콘 파 플라즈마 화학기상 증착방법은 공정이 단순할 뿐만 아니라 다른 플라즈마 화학기상 증착방법보다 고밀도의 플라즈마가 형성되고 이온에 의한 기판의 손상이 아주 적다. 사용되는 SiF4와 O2는 이온반응에서 SiO2박막 내부에 OH 또는 하이드로카본이 형성되지 않아서 단차 피복성과 저유전상수를 갖는 SiOF박막이 형성되기 때문에 반응로의 진공도, 자기장의 세기와 균일도, 기판의 위치 그리고 라디오 주파수의 전력에 따라 원하는 저유전상수를 갖는 박막을 형성할 수 있는 공정방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1019950053664 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0052066 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최치규 대한민국 제주도 제주시 아
2 장홍영 대한민국 대전광역시 유성구
3 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207408-74
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207407-28
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207409-19
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207410-66
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207411-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109529-17
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0479464-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

헬리콘 파 플라즈마 화학기상 증착방법에 의한 고밀도 플라즈마을 얻을 수 있는 최적의 공정조건인 반응로의 압력, 자기장 그리고 라디오 주파수의 전력이 10mTorr, 707Gauss 그리고 1

2 2

제1항에 있어서, 상기 고밀도 플라즈마 형성방법은 SiF4와 O2의 가스의 원재료를 헬리콘 파 플라즈마 플라즈마 화학기상 증착법에 의하여 층간 절연물질인 SiOF 박막형성을 하는 공정방법에 제1단계와, 반응로내에 SiF4가스를 균일하게 분무될 수 있도록 원형의 샤워헤드를 사용하는 방법에 제2단계와, 샤워 헤드의 분사구멍이 원형 파이프의 안쪽 중앙부분에 1mm간격으로 바깥 직경이 1mm이고 안쪽 직경이 0

3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.