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이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조 및 제조방법과 이 를 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 구조 및제조방법

  • 기술번호 : KST2015075648
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 E-MESFET와 D-MESFET 제조용 기판 구조 및 제조방법과 이를 이용한 E-MESFET와 D-MESFET의 구조 및 제조방법에 관한 것으로, 기판과 활성층 사이에 장벽층, 고농도로 도핑된 얇은 제2활성층과 저농도로 도핑된 두꺼운 제1활성층을 형성하고, 표면 캡층을 형성함으로써 기판 누설 전류를 감소시켜 출력 전력과 효율을 향상시키고, 항복 전압의 향상 및 선형성이 우수하고 낮은 상호 변조 왜곡 특성 등의 효과를 얻을 수 있으며, 이 기판을 이용하여 E-MESFET와 D-MESFET를 제작하고 T-형 게이트를 형성하여 잡음 특성을 개선할 수 있는 E-MESFET와 D-MESFET 기판 구조 및 제조방법과 이를 이용한 E-MESFET와 D-MESFET의 구조 및 제조방법이 개시된다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/66856(2013.01)
출원번호/일자 1019960035937 (1996.08.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0233830-0000 (1999.09.14)
공개번호/일자 10-1998-0016378 (1998.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.08.28)
심사청구항수 53

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재경 대한민국 대전광역시 서구
2 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
3 맹성재 대한민국 대전광역시 유성구
4 이재진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126959-10
2 특허출원서
Patent Application		 1996.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126958-75
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126960-67
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126961-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0045437-27
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.04.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5144971-23
7 의견서
Written Opinion		 1999.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5144970-88
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0186948-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 기판과, 상기 반절연성 기판 상부에 형성된 제1완충층과, 상기 제1완충층 상부에 초격자층이 수십주기로 성장되어 형성되거나 불순물에 의해 형성된 장벽층과, 상기 장벽층 상부에 형성된 제2완충층과, 상기 제2완충층 상부에 불순물에 의해 형성된 제2활성층과, 상기 제2활성층 상부에 불순물에 의해 형성된 제1활성층과, 상기 제1활성층 상부에 형성된 표면 캡층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1완충층은 5000Å 내지 1㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

3 3

제1항에 있어서, 상기 장벽층을 형성하기 위한 초격자층은 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소가 수십 주기로 성장되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

4 4

제1항에 있어서, 상기 장벽층을 형성하기 위한 불순물은 피(P)형 불순물인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

5 5

제4항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 약 1016 내지 5×1016/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

6 6

제1, 제3 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽층은 2000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

7 7

제1항에 있어서, 상기 제2활성층을 형성하기 위한 불순물은 엔(N)형 불순물인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

8 8

제7항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 4×1017 내지 4×1018/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

9 9

제1 또는 제7항에 있어서, 상기 제2활성층은 50 내지 300Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

10 10

제1항에 있어서, 상기 제1활성층을 형성하기 위한 불순물을 엔(N)형 불순물인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

11 11

제10항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 1016 내지 1017/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

12 12

제1 또는 제10항에 있어서, 상기 제1활성층은 1000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

13 13

제1항에 있어서, 상기 반절연성 기판은 제2성분계 또는 제3성분계 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 구조

14 14

반절연성 기판 상부에 제1완충층을 형성하는 단계와, 상기 제1완충층 상부에 초격자층을 수십 주기로 성장하거나 불순물에 의해 장벽층을 형성하는 단계와, 상기 장벽층 상부에 제2완충층을 형성하는 단계와, 상기 제2완충층 상부에 불순물에 의해 제2활성층을 형성하는 단계와, 상기 제2활성층 상부에 불순물에 의해 제1활성층을 형성하는 단계와, 상기 제1활성층 상부에 표면 캡층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 이-메스페트 및 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

15 15

제14항에 있어서, 상기 제1완충층은 5000Å 내지 1㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

16 16

제14항에 있어서, 상기 장벽층을 형성하기 위한 초격자층은 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소가 수십 주기로 성장되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

17 17

제14항에 있어서, 상기 장벽층을 형성하기 위한 불순물은 피(P)형 불순물인 것을 특징으로 하는 이-메TM페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

18 18

제17항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 1016 내지 5×1016/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

19 19

제14, 제16 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽층은 2000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

20 20

제14항에 있어서, 상기 제2활성층을 형성하기 위한 불순물은 엔(N)형 불순물인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

21 21

제20항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 4×1017 내지 4×1018/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

22 22

제14 또는 제20항에 있어서, 상기 제2활성층은 50 내지 300Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

23 23

제14항에 있어서, 상기 제1활성층을 형성하기 위한 불순물은 엔(N)형 불순물인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

24 24

제23항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 1016 내지 1017/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

25 25

제14 또는 제23항에 있어서, 상기 제1활성층은 1000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

26 26

제14항에 있어서, 상기 반절연성 기판은 제2성분계 또는 제3성분계 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판 제조방법

27 27

반절연성 기판, 제1완충층, 장벽층, 제2완충층, 제2활성층, 제1활성층 및 표면 캡층이 순차적으로 적층되어 형성된 기판과, 상기 표면 캡층, 제1활성층, 제2활성층 및 제2완충층의 선택된 영역이 식각되어 형성된 공간 영역에 의해 분리된 제1영역 및 제2영역과, 상기 제1영역의 상기 표면 캡층상의 선택된 영역에 형성된 제1소오스 및 제1드레인과, 상기 제1소오스 및 제1드레인 사이의 제1활성층과 접속되도록 형성되되 절연막에 의해 상기 표면 캡층과 분리된 제1티형 게이트와, 상기 제2영역의 상기 표면 캡층상의 선택된 영역에 형성된 제2소오스 및 제2드레인과, 상기 제2소오스 및 제2드레인 사이의 제1활성층과 접속되도록 형성되되 절연막에 의해 상기 표면 캡층과 분리된 제2티형 게이트로 이루어진 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

28 28

제27항에 있어서, 상기 제1완충층은 5000Å 내지 1㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

29 29

제27항에 있어서, 상기 장벽층은 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소 초격자층이 수십 주기로 성장되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

30 30

제27항에 있어서, 상기 장벽층은 피(P)형 불순물이 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

31 31

제30항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 1016 내지 5×1016/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

32 32

제27, 제29 및 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽층은 2000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

33 33

제27항에 있어서, 상기 제2활성층은 엔(N)형 불순물이 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

34 34

제33항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 4×1017 내지 4×1018/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

35 35

제27 또는 제33항에 있어서, 상기 제2활성층은 50 내지 300Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

36 36

제27항에 있어서, 상기 제1활성층은 엔(N)형 불순물이 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

37 37

제36항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 1016 내지 1017/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

38 38

제27 또는 제36항에 있어서, 상기 제1활성층은 1000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

39 39

제27항에 있어서, 상기 반절연성 기판은 제2성분계 또는 제3성분계 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트의 구조

40 40

반절연성 기판 상부에 제1완충층, 장벽층, 제2완충층, 제2활성층, 제1활성층 및 표면 캡층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 표면 캡층부터 상기 제2완충층까지 선택된 영역을 식각하여 제1그루브를 형성하는 단계와, 상기 제1그루브를 기준으로 상기 표면 캡층의 선택된 영역에 제1소오스, 제1드레인 및 제2소오스, 제2드레인을 각각 형성하는 단계와, 상기 제1그루브를 포함한 전체 구조 상부에 질화규소막을 형성하는 단계와, 상기 제1소오스와 제1드레인 사이의 질화규소막, 표면 캡층 및 제1활성층의 선택된 영역을 식각하여 제2그루브를 형성하는 단계와, 상기 제2소오스와 제2드레인 사이의 질화규소막, 표면 캡층 및 제1활성층의 선택된 영역을 식각하여 제3그루브를 형성하는 단계와, 상기 제2그루브 및 제3그루브에 금속을 매립한 다음 패터닝하여 제1티형 게이트 및 제2티형 게이트를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

41 41

제40항에 있어서, 상기 제1완충층은 5000Å 내지 1㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

42 42

제40항에 있어서, 상기 장벽층은 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소 초격자층이 수십 주기로 성장되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

43 43

제40항에 있어서, 상기 장벽층은 피(P)형 불순물이 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

44 44

제43항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 1016 내지 5×1016/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

45 45

제40, 제42, 제43항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽층은 2000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

46 46

제40항에 있어서, 상기 제2활성층은 엔(N)형 불순물이 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

47 47

제46항에 있어서, 상기 불순물의 농도는 4×1017 내지 4×1018/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

48 48

제40 또는 제46항에 있어서, 상기 제2활성층은 50 내지 300Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

49 49

제40항에 있어서, 상기 제1활성층은 엔(N)형 불순물이 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

50 50

제49항에 있어서, 상기 제1활성층의 농도는 1016 내지 1017/cm3인 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

51 51

제40 또는 제49항에 있어서, 상기 제1활성층은 1000 내지 3000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

52 52

제40항에 있어서, 상기 반절연성 기판은 제2성분계 또는 제3성분계 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

53 53

제40항에 있어서, 상기 제1 및 제2티(T)-형 게이트는 게이트 리쎄스 공법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 이-메스페트와 디-메스페트 제조용 기판을 이용한 이-메스페트와 디-메스페트 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.