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제공된 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판을 식각하여 형성된 방출 전극과, 상기 실리콘 기판 상부에 형성되며 방출 전극의 전체 구조가 노출되도록 방출 전극의 측면에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상부에 형성되며 상기 방출 전극 상부의 측면에 형성된 게이트 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공 소자의 구조
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제1항에 있어서, 상기 방출 전극은 실리콘 기판을 건식 및 습식 식각중 어느 하나의 식각 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 진공 소자의 구조
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실리콘 기판 상부에 산화막을 도포하고 방출 전극이 형성될 패턴을 확정하는 단계와, 상기 확정된 패턴으로 산화막의 선택된 영역을 식각하여 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크를 이용하여 실리콘 기판을 식각하여 실리콘 필라를 형성하는 단계와, 상기 실리콘 필라 표면을 산화하여 산화막을 성장시키고 실리콘 필라의 끝부분이 뾰족하게 되도록 형성하는 단계와, 상기 마스크에 규소 질화막을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 절연막을 중착한 후 감광막을 도포하는 단계와, 상기 감광막의 선택된 영역을 제거하여 실리콘 필라 부분의 상부 절연막을 노출시키는 단계와, 상기 감광막을 마스크로하여 상기 노출된 절연막을 식각한 후 규소 질화막을 제거하는 단계와, 상기 마스크로 사용된 감광막을 제거한 후 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 절연막, 산화막 및 실리콘 필라의 산화막을 식각하여 실리콘 팁 끝을 노출시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 실리콘 필라는 실리콘 기판을 건식 및 습식 식각중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 실리콘 필라 표면의 산화막은 열산화 공정에 의해 성장시킨 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 규소 질화막은 박막 중착법에 의해 중착되는 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 절연막은 박막 중착법에 의해 중착되는 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항 또는 제7항에 있어서, 상기 절연막은 TEOS를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 절연막은 불산 수용액을 이용하여 식각되는 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 게이트 전극은 금속, 금속화합물 및 규소류중 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항 또는 제10항에 있어서, 상기 게이트 전극은 스퍼터링법에 의해 중착되는 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 절연막, 산화막 및 실리콘 필라의 산화막은 불산류 및 특정 식각 용액중 어느 하나를 이용하여 식각되는 것을 특징으로 하는 진공 소자 제조 방법
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