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에미터 서브-메사 어레이 구조를 갖는 양자 공진터널링 소자

  • 기술번호 : KST2015076893
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에미터 장벽층 및 도전형 에미터층으로 이루어지는 에미터 메사(emitter mesa)가 어레이(array)로 형성되어 낮은 동작전압을 유지하면서 높은 픽 전류(peak current)를 얻어 저전력소모, 고전류 및 고속 동작 특성을 보이는, 에미터 서브-메사 어레이 구조를 갖는 양자 공진터널링 소자에 관한 것이다. 본 발명은 작은 크기의 에미터 서브-메사를 다수개 배열하여 어레이 구조로 에미터 메사를 형성함으로써, 낮은 동작 전압을 유지하면서도 전류량을 증가시켜 높은 PVR을 유지할 수 있으며, 어레이 구성 선택 즉, 에미터 서브-메사 개수에 의하여 전류의 크기를 조절할 수 있는, 에미터 서브-메사 어레이 구조를 갖는 양자 공진터널링 소자를 제공하는데 그 특징이 있다. 또한, 본 발명은 서브-메사 어레이 구조를 갖는 양자 공진터널링 소자에서 양자장벽층과 양자우물층 각각의 폭(width)을 비대칭적 조합 구조로 형성하여 상대적으로 두께가 얇은 바깥 장벽층의 효과로 인해 전기용량을 감소시키고, 에너지가 낮은 양자 속박 준위들의 스타크 쉬프트(stark shift)에 의한 정렬(alignment)을 통해 낮은 전압에서의 전자의 공진터널링 효과를 증대시켜, 상온에서 초전력 소모, 고출력이 가능한 개선된 양자 공진터널링 소자를 제공하는데 다른 특징이 있다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/7376(2013.01) H01L 29/7376(2013.01) H01L 29/7376(2013.01)
출원번호/일자 1019980040513 (1998.09.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0275499-0000 (2000.09.21)
공개번호/일자 10-2000-0021423 (2000.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.09.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1998-0121913-39
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1998-0121914-85
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1998-0121915-20
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0216264-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

양자 공진터널링 소자(quantum resonant tunneling device)에 있어서,

기판;

상기 기판 상부에 형성된 제1 전도층;

상기 제1 전도층 상에 적층된 에미터장벽(emitter barrier)층 및 에미터 캡(emitter cap)층으로 이루어지는 다수의 에미터 서브-메사(emitter sub-mesa)가 행렬로 배열된 에미터 서브-메사 어레이(array);

상기 에미터 서브-메사 어레이를 이루는 상기 각각의 에미터 서브-메사를 둘러싸는 절연막;

상기 제1 전도층 상에 형성된 제1 전극; 및

상기 에미터 캡층 상에 형성된 에미터 전극

을 포함하는 양자 공진터널링 소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 기판과 상기 제1 전도층 사이에 형성된 제2 전도층; 및

상기 제2 전도층 상에 형성된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 공진터널링 소자

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 제2 전도층과 상기 제1 전도층 사이에, 콜렉터 전위장벽층 및 전위변화흡수층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 공진터널링 소자

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 에미터 장벽층은,상기 콜렉터 상에 번갈아 적층된 n개( 5

제 4 항에 있어서,

상기 제1 전도층과 상기 에미터 장벽층 사이에 형성된 비도핑 제1 스페이서층; 및

상기 에미터 장벽층과 상기 에미터 캡층 사이에 형성된 비도핑 제2 스페이서층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 공진터널링 소자

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 양자장벽층은 적어도 3층으로 이루어지고,

상기 기판에서 상기 에미터 전극 방향으로 상기 양자장벽층의 폭이 차례로 증가하다가 차례로 감소하는 것을 특징으로 하는 양자공진터널링 소자

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 양자우물층은 적어도 2개로 이루어지고,

상기 양자우물층의 폭은 차례로 증가하거나 차례로 감소하는 것을 특징으로 하는 양자공진터널링 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.