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갈륨비소기판 상에 에피택셜 성장된 기판을 이용하는 화합물 반도체소자의 제조 방법에 있어서, 상기 에피택셜 성장된 기판 상에 식각정지층, 오믹층 및 산화막을 형성하고 상기 산화막 상에 광리소그래피를 위한 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 광리소그래피 및 등방성플라즈마식각하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 포함한 산화막 상에 제1내열성금속을 진공증착하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 리프트오프하여 오픈되는 상기 제1내열성금속의 소정부분에 제2내열성금속을 증착 및 전면식각하여 내열성금속측벽을 형성하는 단계; 상기 내열성금속측벽을 포함한 전면에 광리소그래피를 위한 포토레지스트를 도포하고 광리소그래피하여 음각포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 음각포토레지스트패턴 및 내열성금속측벽, 제1내열성금속을 마스크로 하여 게이트리세스하는 단계; 및 상기 게이트리세스된 부분 상에 게이트금속을 형성하고 상기 음각포토레지스트패턴을 리프트오프하여 감마형 게이트를 형성하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 갈륨비소기판상에 갈륨비소버퍼층, 인듐갈륨비소채널층, 스페이서층, 실리콘델타도핑층, 알루미늄갈륨비소쇼트키층을 순차적으로 형성하여 에피택셜 성장된 기판을 이용함을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트패턴을 형성하는 단계는, 상기 광리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광하는 단계: 및 산소가스 분위기의 등방성ICP식각으로 식각하여 미세화된 상기 포토레지스트패턴을 형성하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1내열성금속으로는 텅스텐, 몰리브덴, 텅스텐나이트라이드, 텅스텐실리사이드 중 어느 하나를 전자선 증착장치에서 진공증착하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제2내열성금속으로는 텅스텐나이트라이드, 텅스텐실리사이드, 텅스텐, 몰리브덴 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 음각포토레지스트패턴은 감마형의 헤드 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트리세스하는 단계는, 상기 음각포토레지스트패턴, 내열성금속측벽 및 제1내열성금속을 마스크로 이용하여 CH2/H2 가스분위기에서 상기 산화막을 건식식각하는 단계; SF6/BCl3 가스를 사용하여 상기 오믹층을 건식식각하여 리세스하는 단계; 및 15:1로 희석한 HCl:H2O 용액으로 상기 식각정지층을 식각하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트금속으로는 텅스텐, 텅스텐실리사이드, 텅스텐나이트라이드, 몰리브덴 중 어느 하나를 이용하는 제3내열성금속, 티타늄 및 금의 적층금속막을 이용함을 특징으로 하는 화합물반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 감마형 게이트를 형성하는 단계후에, 상기 게이트금속을 식각마스크로 하여 SF6계 가스를 사용하여 상기 제1내열성금속을 건식식각하는 단계; CF4/H2 계열 가스를 사용하여 상기 산화막을 건식식각하는 단계; 10:1로 배합된 BOE식각용액으로 상기 감마형 게이트 하부의 산화막의 일부를 언더컷 식각하는 단계; 상기 감마형 게이트를 마스크로 사용하여 소오스/드레인을 위한 비대칭 오믹금속전극을 자기정렬로 형성하는 단계; 상기 오믹금속전극을 350℃의 온도에서 10초 동안 1차 급속열처리하고 430℃의 온도에서 10초 동안 2차로 급속열처리하는 단계; 및 상기 결과물 상부에 보호막을 형성하는 단계 를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화합물반도체소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 오믹금속전극으로 20∼50Å의 Pd, 100∼200Å의 Ge, 300∼500Å의 Au, 300∼500Å의 Ni, 300∼500Å의 Ag, 1000∼2000Å의 Au의 적층금속막을 이용하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 오믹금속전극으로 20∼50Å의 Pd, 100∼200Å의 Ge, 300∼500Å의 Au, 300∼500Å의 Ni, 300∼500Å의 Ag, 1000∼2000Å의 Au의 적층금속막을 이용하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체소자의 제조 방법
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