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변형에 기인한 자기양자점을 이용한 단전자 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015077683
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자발형성된 양자점의 변형에 기인한 장벽을 이용한 단전자 트랜지스터에 관한 것으로, 기판, 상기 기판상에 그 자체의 변형에 의해 전자에 대한 전위장벽을 생성시키는 자기양자점 배열을 포함하며 성장된 비도핑반도체층, 상기 비도핑반도체층과 상기 자기양자점 배열에 전자를 공급하며 상기 비도핑반도체층상에 성장되어 이종접합을 이루는 도핑반도체층, 상기 도핑반도체층의 양단에 콘택된 소스/드레인 전극, 및 상기 도핑반도체층상에 스플릿 형태로 배열되어 상기 자기양자점배열을 통과하는 전자를 제어하는 게이트를 포함하여 구성된다.단전자 트랜지스터, HEMT, 양자우물, 양자점, 장벽층, 터널링
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01)
출원번호/일자 1020010047548 (2001.08.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0399055-0000 (2003.09.09)
공개번호/일자 10-2003-0013192 (2003.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20030926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김길호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0197700-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0028145-16
5 등록결정서
Decision to grant		 2003.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0326666-86
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

단전자 트랜지스터에 있어서,

기판;

상기 기판상에 그 자체의 변형에 의해 전자에 대한 전위장벽을 생성시키는 자기양자점 배열을 포함하며 성장된 비도핑반도체층;

상기 비도핑반도체층과 상기 자기양자점 배열에 전자를 공급하며 상기 비도핑반도체층상에 성장되어 이종접합을 이루는 도핑반도체층;

상기 도핑반도체층의 양단에 콘택된 소스/드레인 전극; 및

상기 도핑반도체층상에 스플릿 형태로 배열되어 상기 자기양자점배열을 통과하는 전자를 제어하는 게이트

를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 게이트는 상기 양자점을 통과하는 전자의 개수를 조절하기 위해 적어도 두개 이상 구비됨을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 비도핑반도체층은 상기 양자점이 형성된 양자우물층을 포함하되, 상기 양자우물층은 GaAs, InGaP, SiGe 또는 AlGaN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 양자점은 1

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 양자점은 InAs, InP, Si, GaN 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.