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반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078775
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 낮은 온도에서 신뢰성이 높은 절연막을 효과적으로 형성 할 수 있는 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 플라즈마, 라디칼, 이온제거수단, 필터
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01J 37/32724(2013.01) H01J 37/32724(2013.01) H01J 37/32724(2013.01) H01J 37/32724(2013.01) H01J 37/32724(2013.01)
출원번호/일자 1020020074015 (2002.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0536140-0000 (2005.12.06)
공개번호/일자 10-2004-0046176 (2004.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20051214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노태문 대한민국 대전광역시유성구
2 권성구 대한민국 대전광역시유성구
3 박일용 대한민국 경기도평택시
4 양일석 대한민국 대전광역시유성구
5 이대우 대한민국 대전광역시유성구
6 김상기 대한민국 대전광역시유성구
7 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
8 김종대 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2002-0391319-80
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0500389-16
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0046471-12
4 의견서
Written Opinion		 2005.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0046473-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0224708-15
6 의견서
Written Opinion		 2005.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0383535-17
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0383532-70
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0621115-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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이온 또는 가스의 반응 현상이 일어나는 반응로;상기 반응로 내부에 위치하여 반입되는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지수단;상기 웨이퍼를 가열하기 위한 가열수단;상기 가열수단에 전원을 공급하기 위한 전원공급수단;반응 가스를 주입하기 위한 가스 주입 수단;상기 반응로 외부로 상기 가스 주입 수단과 상기 반응로 사이에 설치되어 상기 가스 주입 수단으로부터 주입된 상기 반응 가스를 이온 라디칼화하여 상기 반응로 내부에 주입하기 위한 플라즈마 발생수단; 및상기 플라즈마 발생수단과 상기 반응로 사이에 설치되어 상기 이온 라디칼이 상기 반응로 내부로 과도하게 유입되는 것을 제어하기 위한 이온제거수단이 포함되되,상기 이온제거수단은 다수의 구멍이 형성되고, 오염물의 주입 가능성을 줄이기 위하여 불순물이 도입된 실리콘 재료를 사용하며, Al2O3 전기화학방법을 사용하여 벌집모양으로 형성하여 이온을 제거할 수 있는 필터부와, 외부로부터 DC전압을 입력받아 상기 이온제거수단을 제어하는 음전극부로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치
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웨이퍼 상에 반도체 소자를 구성하는 여러 요소가 형성된 반도체 구조물이 제공되는 단계; 및상기 반도체 구조물 상에 제 4 항의 반도체 소자의 제조 장치를 이용하여 제 1 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 절연막 상부에 원자 증착법을 이용하여 제 2 절연막을 증착하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 1 절연막은 두께가 0
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제 4 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생수단은,고주파 전압을 발생하기 위한 고주파 발생수단; 및상기 고주파 전압을 통해 유도 자장 및 2차유도 전류를 발생하기 위한 코일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.