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표면 일부가 식각되어 동공이 형성된 기판; 상기 기판 상에 지지되며, 그 일부가 상기 동공 상부에 배치되어 상기 기판과 비접촉 상태를 유지하며 엑츄에이터를 이루는 제1전극; 및 상기 기판의 주면과 일정 간격 만큼 이격된 채로 상기 제1전극과 그 일부가 오버랩되어 엑츄에이터를 이루는 제2전극을 구비하며, 상기 제1전극과 상기 제2전극 간에 유발된 정전기적 인력에 의해 상기 제1전극과 상기 제2전극의 접점을 이루는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자
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표면 일부가 식각되어 동공이 형성된 기판; 상기 기판 상에 지지되며, 그 일부가 상기 동공 상부에 배치되어 상기 기판과 비접촉 상태를 유지하며 엑츄에이터를 이루는 제1전극; 상기 기판의 주면과 일정 간격 만큼 이격된 채로 상기 제1전극과 그 일부가 오버랩되어 엑츄에이터를 이루는 제2전극; 및 상기 기판의 주면과 일정 간격 만큼 이격된 채로 상기 제2전극과 그 일부가 오버랩되어 엑츄에이터를 이루는 제3전극을 구비하며, 상기 제1전극과 상기 제2전극 간의 유발된 정전기적 인력과 상기 제2전극과 상기 제3전극 간의 정전기적 척력에 의해 상기 제1전극과 상기 제2전극의 접점을 이루는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제1전극으로 직류전압이 인가되며, 상기 제2전극으로 외부신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제1전극으로 외부신호가 인가되며, 상기 제2전극 및 상기 제3전극으로 직류전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제1전극으로 외부신호가 인가되며, 상기 제2전극으로 직류전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자
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제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 제2전극은, 상기 제1전극 상부에서 상기 제1전극과 일정 간격을 갖으며 교차 중첩되도록 자신의 양측이 지지부재에 의해 상기 기판에 지지된 것을 특징으로 하는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 제1전극은, 일체형으로서 상기 기판과의 사이에 동공을 갖는 멤브레인(Membrane) 구조 또는 분리형으로서 상기 기판과 그 일측이 결합 및 지지되는 켄티레버(Cantilever) 구조인 것을 특징으로 하는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자
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제 8 항에 있어서, 상기 제2전극의 상기 제1전극과 대향되는 면에 배치된 유전체층을 더 포함하며, 상기 제1전극과 접촉될때 제1전극/유전체층/제2전극으로 이루어지는 캐패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자
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제 8 항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제2전극 간에 정전기적 인력이 발생하였을 경우, 상기 제1전극과 접촉되도록 상기 제1전극에 대향하는 상기 제2전극에 부착된 전도성 접촉패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자
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제 8 항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제2전극 간에 정전기적 인력이 발생하였을 경우, 상기 제1전극과 접촉되도록 상기 제1전극에 대향하는 상기 제2전극에 부착된 전도성 접촉패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자
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